[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底上的外延层，所述深紫外发光二极管还包括侧壁部，所述侧壁部包括部分所述衬底的侧面以及所述外延层的侧面，且所述侧壁部与所述衬底底面的角度在预设范围内；

其中，所述深紫外发光二极管还包括设置于所述侧壁部上的反射层，所述反射层用于反射所述外延层内部发射的光线。

2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层在所述侧壁部上的正投影与所述侧壁部重合。

3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层包括设置于所述外延层的侧面上的第一子反射层以及设置于所述衬底的侧面上的第二子反射层，所述第一子反射层与所述衬底底面具有第一夹角，所述第二子反射层与所述衬底底面具有第二夹角；

其中，所述第一夹角与所述第二夹角的角度范围均在20°至80°之间。

4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述外延层的侧面包括由下至上依次延伸的第一斜面、台阶面以及第二斜面，所述第一斜面或者所述第二斜面与所述衬底的夹角为所述第一夹角，所述台阶面与所述衬底平行设置；

其中，所述台阶面上设置有N型电极。

5.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述深紫外发光二极管还包括设置于所述外延层的侧面上的钝化层，所述第一子反射层设置于所述钝化层远离所述外延层一侧的表面；

其中，所述钝化层的材料为二氧化硅，所述钝化层的厚度范围在100nm至1000nm之间。

6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层包括反射金属层，所述反射金属层的材料选自铝、钛、金以及铑中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层包括布拉格反射层，所述布拉格反射层包括多层堆叠结构，每一层所述堆叠结构包括由下至上层叠设置的第一子层以及第二子层；

其中，所述第一子层的厚度为0.25λ*n₁，所述第二子层的厚度为0.25λ*n₂，λ为所述外延层内部发射的出射光的中心波长，n₁为所述第一子层的平均折射率，n₂为所述第二子层的平均折射率。

8.根据权利要求7所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层中的所述堆叠结构的层数范围在10至20之间。

9.一种深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在一衬底上外延生长外延层；

对部分所述衬底的侧面以及所述外延层的侧面进行处理以形成侧壁部，所述侧壁部与所述衬底底面的角度在预设范围内；

在所述侧壁部上形成反射层，所述反射层用于反射所述外延层内部发射的光线。

10.根据权利要求9所述的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述对部分所述衬底的侧面以及所述外延层的侧面进行处理以形成侧壁部的步骤还包括：

在所述外延层的表面沉积掩膜层，所述掩膜层完全覆盖所述外延层；

去除部分所述掩膜层，在沿第一方向的第一区域暴露出一部分所述外延层，以及在沿第二方向的第二区域暴露出另一部分所述外延层；

分别对所述第一区域以及所述第二区域内的所述外延层进行切割处理，形成凹槽；

对所述凹槽进行第一工艺处理以形成所述侧壁部，所述侧壁部与所述衬底底面的角度在预设范围内。