[发明专利]速率常数的测试方法、装置、存储器芯片和可读存储介质

权利要求书

1.一种可动离子电荷的速率常数的测试方法，其特征在于，应用于MOS电容，所述MOS电容包括栅极、基极以及所述栅极和所述基极之间的氧化层，所述测试方法包括：

响应于施加于所述栅极的扰动信号ΔV_GS，测量可动离子电荷扰动时的衬底电流ΔI_ex，所述扰动信号用于驱动所述可动离子电荷脱离所述栅极侧的电子；

基于所述衬底电流ΔI_ex确定所述可动离子电荷运动产生的运动电流密度ΔI_Ion；

基于所述运动电流密度ΔI_Ion确定所述可动离子电荷远离所述栅极与靠近所述栅极的速度相等时的交换电流密度i₀；

测量所述可动离子电荷的面密度C_a；

基于所述交换电流密度i₀和所述面密度C_a确定速率常数k₀，

其中，所述速率常数k₀用于表征所述扰动信号扰动所述可动离子电荷运动的概率和频率。

2.根据权利要求1所述的可动离子电荷的速率常数的测试方法，其特征在于，所述基于所述衬底电流ΔI_ex确定所述可动离子电荷运动产生的运动电流密度ΔI_Ion包括：

获取所述MOS电容的充放电电流ΔI_Mos；

基于所述衬底电流ΔI_ex和所述充放电电流ΔI_Mos之间的差值确定所述运动电流密度ΔI_Ion，

其中，所述充放电电流ΔI_Mos为对所述MOS电容进行充放电的位移电流。

3.根据权利要求2所述的可动离子电荷的速率常数的测试方法，其特征在于，所述获取所述MOS电容的充放电电流ΔI_Mos包括：

基于第一计算式获取所述充放电电流ΔI_Mos，

其中，所述第一计算式为ΔI_Mos＝ΔVjwC_Mos，ΔV为扰动电压，j为角频率，w为虚数单位，C_Mos为所述MOS电容的电容量，C_Mos为定值。

4.根据权利要求1所述的可动离子电荷的速率常数的测试方法，其特征在于，所述基于所述衬底电流ΔI_ex确定所述可动离子电荷运动产生的运动电流密度ΔI_Ion包括：

基于所述扰动信号ΔV_GS执行所述可动离子电荷的频谱扫描，得到多个数据点；

对所述多个数据点进行拟合得到干扰等效电路，所述干扰等效电路包括串联的扰动电阻和扰动电容，所述扰动电阻表示所述可动离子电荷挣脱所述栅极侧的电子的静电力，所述扰动电容表示所述可动离子电荷在所述氧化层中运动引起的电容；

基于所述衬底电流ΔI_ex、以及并联的所述MOS电容和所述干扰等效电路，得到所述运动电流密度ΔI_Ion。

5.根据权利要求1所述的可动离子电荷的速率常数的测试方法，其特征在于，所述基于所述运动电流密度ΔI_Ion确定所述可动离子电荷远离所述栅极与靠近所述栅极的速度相等时的交换电流密度i₀包括：

将所述运动电流密度ΔI_Ion输入第二计算式，以输出所述交换电流密度i₀，其中，所述第二计算式为ΔI_Ion为所述运动电流密度，F为法拉第常数，ΔV_GS为所述扰动信号，R为摩尔气体常数，T为热力学温度。