[发明专利]一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法

权利要求书

1.一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

(1)在InP衬底上按顺序依次生长InP缓冲层、InGaAs腐蚀停层、N型InP接触层、InGaAs吸收层、N型InP帽层以及InGaAs接触层；

(2)在InGaAs接触层上通过刻蚀形成不连续的方形InGaAs阵列，且每个方形InGaAs的面积小于等于每个像素的面积；

(3)在裸露的表面上沉积掩膜层；

(4)除去与像素区域以及隔离相邻像素的格栅区域相对应的掩膜层后，再对除去掩膜层的区域进行Zn扩散直至扩散至InGaAs吸收层，含有Zn掺杂的区域形成P型掺杂区；

(5)在掩膜层上做N型接触区光刻，之后除去与N型接触区相对应的InGaAs接触层、N型InP帽层以及InGaAs吸收层，在P型掺杂区四周形成N型接触区；

(6)在裸露的表面上沉积钝化膜，再除去P型掺杂区表面部分钝化膜以形成P型与N型欧姆接触区；

(7)在P型与N型欧姆接触区通过溅射金属形成P区与N区金属电极区；

(8)通过分割形成多个单个焦平面阵列，再将单个焦平面阵列与读出电路连接，形成低暗电流铟镓砷焦平面探测器。

2.根据权利要求1所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，InP衬底的厚度为300～500μm，InP缓冲层的厚度为100～500nm，InGaAs腐蚀停层的厚度为50～300nm，N型InP接触层的厚度为50～400nm，InGaAs吸收层的厚度为2～4μm，N型InP帽层的厚度为100～1000nm，InGaAs接触层的厚度为30～200nm；其中，所述InGaAs为In_0.53Ga_0.47As。

3.根据权利要求1所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，掩膜层的厚度为100～500nm；掩膜层的材质为Si₃N₄或SiO₂。

4.根据权利要求1所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，Zn在InGaAs吸收层的掺杂深度为50～1000nm。

5.根据权利要求1所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：钝化膜的厚度为20～100nm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：步骤(6)中，钝化膜的材质为Al₂O₃或者HfO₂。

7.根据权利要求1所述的一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，其特征在于：步骤(7)中，溅射金属是按顺序依次溅射Ti金属层、Pt金属层以及Au金属层，Ti金属层的厚度为30～100nm，Pt金属层的厚度为30～100nm，Au金属层的厚度为100～300nm。