[发明专利]基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 202211483210.1 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115716750A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 薛继梅;刘玉强;侯泽鑫;高源;杨帆 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/583;C04B35/622;C04B41/89 |
| 代理公司： | 重庆三航专利代理事务所(特殊普通合伙) 50307 | 代理人： | 万文会 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 诱导 化学 沉积 sic 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法为不同晶化程度的BN基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，所述方法具体包括以下步骤：
步骤（1）以多孔莫来石为基底，在较低制备温度条件下，采用化学气相沉积法制备一定厚度的BN陶瓷，得到多孔莫来石/BN复相陶瓷；
步骤（2）在氩气保护下，对所述多孔莫来石/BN复相陶瓷进行不同温度热处理，得到不同晶化程度的多孔莫来石/BN复相陶瓷；
步骤（3）以步骤（2）制得的所述不同晶化程度的多孔莫来石/BN复相陶瓷为基底，在一定制备温度条件下，采用化学气相沉积法制备一定厚度的SiC陶瓷，得到吸波莫来石/BN/SiC复相陶瓷。
2.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述多孔莫来石的孔隙率为88-90%。
3.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述制备温度为650℃。
4.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述BN陶瓷为无定形态，且所述BN陶瓷的厚度为500-700nm。
5.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述热处理的温度为1000-1500℃。
6.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述热处理过程中的保温时间为2h。
7.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述SiC陶瓷的制备温度为1000℃，先驱体气源为MTS-H2-Ar。
8.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述SiC陶瓷的沉积时间为100h。
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