[发明专利]一种PCIE接口的高速多节点SD卡及存储方法在审

专利信息
申请号: 202211485536.8 申请日: 2022-11-24
公开(公告)号: CN116244227A 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 周苗苗;刘怀怀;迟骋 申请(专利权)人: 天津市英贝特航天科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/42;G06F15/78
代理公司: 天津市尚文知识产权代理有限公司 12222 代理人: 黄静
地址: 300000 天津市滨海新区自*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 pcie 接口 高速 节点 sd 存储 方法
【权利要求书】:

1.一种PCIE接口的高速多节点SD卡,其特征在于,包括:VPX连接器模块、FPGA模块和SD存储模块;

所述VPX连接器所述FPGA模块相连接,所述FPGA模块与SD存储模块相连接;

所述VPX连接器模块,用于PCIE差分信号;

所述FPGA模块用于将所述PCIE差分信号进行差分单端转换获得读写时序;对所述PCIE差分信号对进行串行PCIE协议包的数据解析,获得包头文件、实际写入地址和数据信息;根据所述地址和数据信息将数据写入内部RAM中;最后完成SPI接口协议的SD卡读写时序;

所述SD存储模块,用于根据所述读写时序进行数据存储。

2.根据权利要求1所述的PCIE接口的高速多节点SD卡,其特征在于,所述FPGA模块包括DMA控制单元、PCIE解析单元、内部RAM和SD卡读写单元;

所述时钟单元,将所述PCIE差分信号中PCIE时钟信号差分对进行差分单端转换获得读写时序;

所述PCIE解析模块,对所述PCIE差分信号的PCIE数据差分对进行串行PCIE协议包的数据解析,获得包头文件、实际写入地址和数据信息;

所述DMA控制单元根据所述地址和数据信息将数据写入内部RAM中;

所述SD卡读写单元,用于完成SPI接口协议的SD卡读写时序。

3.根据权利要求1所述的PCIE接口的高速多节点SD卡,其特征在于,还包括:

所述SD卡读写单元按照SPI接口协议读写时序实现将SD存储模块中的数据读出,输出给所述DMA控制单元;

所述DMA控制单元接收数据后按顺序地址存入内部RAM2中,在PCIE解析模块的读请求下将RAM2中的地址和数据信息传输给PCIE解析单元;

所述PCIE解析单元将并行地址数据信息打包进PCIE协议串行数据包,发送给外部主机,实现数据的DMA方式反向传输。

4.根据权利要求1所述的PCIE接口的高速多节点SD卡,其特征在于,还包括:电源模块;

所述电源模块包括12V转5V的DC-DC电源转换器、5V转3.3V的DC-DC电源转换器、5V转1.2V的DC-DC电源转换器和5V转1.0V的DC-DC电源转换器。

5.根据权利要求4所述的PCIE接口的高速多节点SD卡,其特征在于,所述电源模块将12V主供电转换输出3.3V、1.2V和1.0V电源供给FPGA模块,转换输出5V供给SD存储模块。

6.一种PCIE接口的高速多节点存储方法,其特征在于,包括:

将所述PCIE差分信号进行差分单端转换获得读写时序;

对所述PCIE差分信号对进行串行PCIE协议包的数据解析,获得包头文件、实际写入地址和数据信息;

根据所述地址和数据信息将数据写入内部RAM中;最后完成SPI接口协议的SD卡读写时序;

根据所述读写时序进行数据存储。

7.根据权利要求6所述的PCIE接口的高速多节点存储方法,其特征在于,包括:

所述PCIE差分信号中PCIE时钟信号差分对进行差分单端转换获得读写时序;

所述PCIE差分信号的PCIE数据差分对进行串行PCIE协议包的数据解析,获得包头文件、实际写入地址和数据信息;

根据所述地址和数据信息将数据写入内部RAM中;

完成SPI接口协议的SD卡读写时序。

8.根据权利要求6所述的PCIE接口的高速多节点存储方法,其特征在于,还包括:

按照SPI接口协议读写时序实现将SD存储模块中的数据读出;

按顺序地址存入内部RAM中,在读请求下将RAM中的地址和数据信息传打包进PCIE协议串行数据包,发送给外部主机,实现数据的DMA方式反向传输。

9.根据权利要求6所述的PCIE接口的高速多节点存储方法,其特征在于,还包括:电源转换;

所述电源转换包括12V转5V、5V转3.3V、5V转1.2V和5V转1.0V。

10.根据权利要求6所述的PCIE接口的高速多节点存储方法,其特征在于,所述12V电压为外部接入的电压。。

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