[发明专利]激光退火反应装置在审
申请号: | 202211487730.X | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN116207004A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 刘金彪;贺晓彬;杨涛;李俊峰;罗军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/268 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 陈晓瑜 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 反应 装置 | ||
1.一种激光退火反应装置,其特征在于,包括:高压腔体、载片台、穿透板、第一调压阀和第二调压阀;
所述高压腔体的内部设置有反应腔室,所述高压腔体的表面开设有照射口、进气口和排气口,所述照射口、所述进气口和所述排气口分别与所述反应腔室连通;
所述高压腔体用于通过所述进气口向所述反应腔室充入反应气体,通过所述排气口将所述反应腔室内的反应气体排出所述高压腔体;
所述第一调压阀固定设置在所述高压腔体的进气口处,并用于调节通过所述进气口的气体的流量;
所述第二调压阀固定设置在所述高压腔体的排气口处,并用于调节通过所述排气口的气体的流量;
所述穿透板位于所述照射口处并与所述高压腔体密封连接,所述穿透板用于使激光穿过穿透板对反应腔室内的晶圆进行激光退火;
所述载片台与所述高压腔体固定连接,所述载片台用于承载所述反应腔室内的晶圆。
2.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述排气口的数量为多个。
3.根据权利要求2所述的激光退火反应装置,其特征在于,多个所述排气口均匀地分布在所述载片台的周侧。
4.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述激光退火反应装置还包括:第一压力计;
所述第一压力计与所述高压腔体固定连接,所述第一压力计位于所述排气口处,所述第一压力计用于监测所述排气口处的压强。
5.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述激光退火反应装置还包括:真空泵;
所述载片台朝向所述穿透板的表面开设有吸孔,所述载片台的内部设置有通气道,所述通气道与所述吸孔连通,所述真空泵的进气口与所述通气道连通,所述真空泵用于通过所述吸孔将所述晶圆吸附在所述载片台上。
6.根据权利要求5所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述激光退火反应装置还包括:第二压力计和第三压力计;
所述第二压力计与所述高压腔体固定连接,所述第二压力计用于监测所述反应腔室内的压力大小;
所述第三压力计与所述工作台固定连接,所述第三压力计用于监测所述通气道内的压力大小。
7.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述反应气体包括:氧气、氮气和氩气中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述穿透板的材料包括:石英或蓝宝石。
9.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述激光退火反应装置还包括:加热件;
所述加热件位于所述反应腔室内,所述加热件与所述高压腔体固定连接,所述加热件用于调节所述晶圆表面的温度。
10.根据权利要求1所述的激光退火反应装置,其特征在于,所述高压腔体的内壁涂布有吸光材料,以形成吸光层;
所述吸光层的表面形成有绒毛结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造