[发明专利]一种造纸线高价值设备的状态诊断管理系统在审
申请号: | 202211488023.2 | 申请日: | 2022-11-25 |
公开(公告)号: | CN116112386A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 王爱燕;于慧勇;韩拥春;石傲;鄢来朋 | 申请(专利权)人: | 浙江华章科技有限公司 |
主分类号: | H04L43/08 | 分类号: | H04L43/08;H04L12/66;G01J5/12 |
代理公司: | 杭州航璞专利代理有限公司 33498 | 代理人: | 王乔峰 |
地址: | 314503 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 造纸 价值 设备 状态 诊断 管理 系统 | ||
1.一种造纸线高价值设备的状态诊断管理系统,其特征在于:包含用于采集造纸线高价值设备的状态和室内环境参数的数据采集终端,还包含网关模块、数据监控终端,所述数据采集终端通过网关模块连接数据监控终端;
数据采集终端,用于通过传感器技术来感知造纸线高价值设备的状态信息和室内环境参数,进而通过无线网络模块向网关发送信息;
网关模块,用于造纸线高价值设备的状态信息和室内环境参数汇总处理;
数据监控终端,用于根据造纸线高价值设备的状态信息和室内环境参数实现对仪器设备系统设备的管理。
2.根据权利要求1所述的一种造纸线高价值设备的状态诊断管理系统,其特征在于:所述数据采集终端包含驱动电流互感器模块、TE200温度检测传感器模块、湿度传感器模块、多路复用开关、数据预处理模块、微控制器模块、高稳晶振模块、无线通信模块、接口模块、存储器模块、时钟模块和电源模块,所述驱动电流互感器模块、TE200温度检测传感器模块、湿度传感器模块分别依次经过多路复用开关、数据预处理模块连接微控制器模块,所述无线通信模块、高稳晶振模块、接口模块、GPS模块、存储器模块、时钟模块和电源模块分别与微控制器模块连接。
3.根据权利要求2所述的一种造纸线高价值设备的状态诊断管理系统,其特征在于:所述驱动电流互感器模块的应用,具体如下:
在220V交流工作电压下,负载运行状态无法直接借助芯片进行测量,采用电流互感法以减弱电路中的电流,通过采用串联方式在220V交流电路中结合传感器与实验室内的常用仪器设备实现;
设互感器用T1表示,二极管用D1表示,电阻用R3表示,其两端电压用U3表示,设T1的比例系数为n:m,Ud代表D1正向导通时的两端电压,则U3可用公式(1)表示,即电阻R3两端的电压公式,具体如下:
室内各造纸线高价值设备具不同的电流,因此D1处于击穿状态的前提条件是对R1,R2进行调整,从而在R3的两端获取稳定电压。
4.根据权利要求1所述的一种造纸线高价值设备的状态诊断管理系统,其特征在于:所述无线通信模块包含射频RF端、第一NMOS晶体管Q1、第二NMOS晶体管Q2、第三NMOS晶体管Q3、第四NMOS晶体管Q4、第五NMOS晶体管Q5、第六NMOS晶体管Q6,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、射频ANT端、电压VCTRL端和电压VCTRI端;
其中,射频RF端分别连接第五电阻R5的一端、第七电阻R7的一端、第三NMOS晶体管Q3的漏极、第四NMOS晶体管Q4的漏极,第五电阻R5的另一端分别连接第三NMOS晶体管Q3的源极、第二NMOS晶体管Q2的漏极和第三电阻R3的一端,第三电阻R3的另一端分别连接第一NMOS晶体管Q1的第二NMOS晶体管Q2的源极、第一NMOS晶体管Q1的漏极和第一电阻R1的一端,第一电阻R1的另一端连接第一NMOS晶体管Q1的源极并接地,第一NMOS晶体管Q1的基底极连接第一二极管的阳极,第一二极管的阴极分别连接第一NMOS晶体管Q1的栅极和第二电阻R2的一端,第二电阻R2的另一端分别连接第四电阻R4的一端和电压VCTRI端,第六电阻R6的一端,第四电阻R4的另一端分别连接第二NMOS晶体管Q2的栅极和第二二极管D2的阴极,第二二极管D2的阳极连接第二NMOS晶体管Q2的基底极;第六电阻R4的另一端分别连接第三NMOS晶体管Q3的栅极和第三二极管D3的阴极,第三二极管D3的阳极连接第三NMOS晶体管Q3的基底极;
第四NMOS晶体管Q4的栅极分别连接第四二极管D4的阴极、第八电阻的R8的一端,第七电阻R7的另一端分别连接第四NMOS晶体管Q4的源极、第五NMOS晶体管Q5漏极、第九电阻R9的一端,第五NMOS晶体管Q5栅极分别连接第十电阻R10的一端和第五二极管D5的阴极,第五二极管D5的阳极连接第五二极管D5的基底极,第五NMOS晶体管Q5源极分别连接第九电阻R9的另一端、第十一电阻R11的一端和第六NMOS晶体管Q6的漏极,第六NMOS晶体管Q6的栅极分别连接第十二电阻R12的一端和第六二极管D6的阴极,第六二极管D6的阳极连接第六二极管D6的基底极,第十二电阻R12的另一端连接第八电阻R8的另一端,第十电阻R10的另一端连接电压VCTRL端,第六NMOS晶体管Q6的源极分别连接第十一电阻R11的另一端和射频ANT端。
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