[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件

说明书

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底和第一电极，第一电极设置于基底的表面，并与基底电连接，其中，沿基底的厚度方向，第一电极设置有第一导电层、第二导电层以及第一传输层，第一传输层位于第一导电层与第二导电层之间，第一传输层为半导体材料，用于使第一导电层与第二导电层电连接。这样设计有利于降低太阳能电池发生尖楔效应的可能性，从而有利于减少太阳能电池的复合损失，提高太阳能电池的短路电压以及电池效率，另一方面，还有利于减少高成本的金属浆料的用量，从而有利于降低第一电极的生产成本，进而有利于降低整个太阳能电池的生产成本。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术

随着技术的发展，太阳能电池的应用领域越来越广泛，太阳能电池中的电极通常由金属浆料制备而成，金属浆料在烧结的过程中容易发生尖楔效应，容易对太阳能电池的整体性能产生影响，且目前电极所需的金属浆料成本较高，导致整个太阳能电池的生产成本增加。

发明内容

本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，用于解决太阳能电池容易发生尖楔效应的问题，并能够降低太阳能电池的生产成本。

本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括基底和第一电极，所述第一电极设置于所述基底的表面，并与所述基底电连接，其中，沿所述基底的厚度方向，所述第一电极设置有第一导电层、第二导电层以及第一传输层，所述第一传输层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第一传输层为半导体材料，用于使所述第一导电层与所述第二导电层电连接。

在一种可能的实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层的电导率大于所述第一传输层的电导率。

在一种可能的实施方式中，所述半导体材料包括多晶硅、微晶硅、非晶硅、纳米晶硅中的至少一种。

在一种可能的实施方式中，所述第一传输层为掺杂半导体层，所述第一传输层与所述第一导电层和/或所述第二导电层之间形成有掺杂区，所述掺杂区为P型掺杂区或N型掺杂区。

在一种可能的实施方式中，所述第一传输层为本征半导体层。

在一种可能的实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层为金属材料层，其中，所述第一导电层包括的金属成分与所述第二导电层包括的金属成分不同。

在一种可能的实施方式中，所述第一导电层位于所述第一传输层靠近所述基底的表面的一侧，所述第一导电层通过银铝浆料烧结而成，所述第二导电层通过铝浆料或银铝浆料烧结而成。

在一种可能的实施方式中，沿所述基底的厚度方向，所述第一导电层厚度D1满足：1μm≤D1≤10μm，所述第一传输层厚度D2满足：10μm≤D2≤1000μm，所述第二导电层厚度D3满足：5μm≤D2≤50μm。

在一种可能的实施方式中，所述基底沿厚度方向具有相对设置的第一表面和第二表面，所述太阳能电池还包括第二电极，所述第二电极能够与所述基底电连接，在所述第一表面和所述第二表面中，一者设置有所述第一电极，另一者设置有所述第二电极。

在一种可能的实施方式中，所述第二电极沿厚度方向设置有第三导电层、第四导电层和第二传输层，所述第二传输层位于所述第三导电层与所述第四导电层之间，所述第二传输层为半导体材料，用于使所述第三导电层与所述第四导电层电连接。

在一种可能的实施方式中，所述基底沿厚度方向具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一电极设置在所述第一表面和所述第二表面。

在一种可能的实施方式中，沿远离所述基底的方向，所述第一表面依次设置有发射极以及第一钝化膜，所述第一电极设置于所述第一钝化膜远离所述发射极的一侧，所述第一电极能够穿透所述第一钝化膜，并与所述发射极电连接。