[发明专利]离子注入机台注入角度监控方法

权利要求书

1.一种离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，包括：

选取第一硅晶圆进行湿法清洗，并检测清洗后的所述第一硅晶圆的表面缺陷点是否合格，所述第一硅晶圆为P型裸晶硅，其电阻率在1-100Ω·m范围内，所述表面缺陷点的合格规格为＜100ea；

将表面缺陷点合格的所述第一硅晶圆进行外延成长后得到第二硅晶圆，所述外延成长的实施温度为1100-1150℃，成长厚度为3-8um，外延成长的单晶硅层电阻率为3-5Ω·cm；

测试所述第二硅晶圆的晶格损伤是否合格；

通过离子注入机台对晶格损伤合格的所述第二硅晶圆进行不同角度的离子注入，得到第三硅晶圆；

测试所述第三硅晶圆的晶格损伤数据；

获取所述离子注入机台的横/纵轴偏转角，并将所述晶格损伤数据和所述横/纵轴偏转角进行二次函数曲线拟合，得到拟合函数曲线；

获取所述拟合函数曲线的目标值，所述目标值为所述拟合函数曲线的顶点坐标x值的绝对值；

判断所述目标值是否在预设的规格数值内，其中所述规格数值为0.2；

若所述目标值在所述预设的规格数值内，则所述离子注入机台的机台角度正常；

若所述目标值不在所述预设的规格数值内，则所述离子注入机台的机台角度异常。

2.如权利要求1所述的离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，所述横轴偏转角包括-1°、-0.5°、0°、0.5°和1°，所述纵轴偏转角包括-1°、-0.5°、0°、0.5°和1°。

3.一种离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，包括：

选取第一硅晶圆进行湿法清洗，并检测清洗后的所述第一硅晶圆的表面缺陷点是否合格；

将表面缺陷点合格的所述第一硅晶圆进行掺杂有P元素的外延成长后得到第二硅晶圆；

通过离子注入机台对所述第二硅晶圆进行不同角度的B元素离子注入，得到第三硅晶圆；

对所述第三硅晶圆进行退火后，激活注入的所述B元素离子得到第四硅晶圆；

测量所述第四硅晶圆的RS值；

获取所述离子注入机台的横/纵轴偏转角，并将所述RS值和所述横/纵轴偏转角进行二次函数曲线拟合，得到拟合函数曲线；

基于所述拟合函数曲线对所述离子注入机台的机台角度进行异常监控。

4.如权利要求3所述的离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，所述基于所述拟合函数曲线对所述离子注入机台的机台角度进行异常监控，具体包括：

获取所述拟合函数曲线的目标值；

判断所述目标值是否在预设的规格数值内，其中所述规格数值为0.2；

若所述目标值在所述预设的规格数值内，则所述离子注入机台的机台角度正常；

若所述目标值不在所述预设的规格数值内，则所述离子注入机台的机台角度异常。

5.如权利要求3所述的离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，所述第一硅晶圆为P型裸晶硅，其电阻率在1-100Ω·m范围内，所述表面缺陷点的合格规格为＜100ea。

6.如权利要求4所述的离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，所述横轴偏转角包括-1°、-0.5°、0°、0.5°和1°，所述纵轴偏转角包括-1°、-0.5°、0°、0.5°和1°，所述目标值为所述拟合函数曲线的顶点坐标x值的绝对值。

7.如权利要求3所述的离子注入机台注入角度监控方法，其特征在于，所述退火的实施温度为900-1100℃，退火时长为10-30s。