[发明专利]一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211497523.2 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115863435A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 常晶晶;崔东升;林珍华;薛怡馨;苏杰;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多级 存储 基于 alscn 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，包括：下电极(1)、Al1-xScxN薄膜层(2)、Al1-yScyN薄膜层(3)和上电极(4)，其中，
所述Al1-xScxN薄膜层(2)位于所述下电极(1)上；
所述Al1-yScyN薄膜层(3)位于所述Al1-xScxN薄膜层(2)上，x≠y，且所述Al1-yScyN薄膜层(3)的直径小于所述Al1-xScxN薄膜层(2)的直径；
所述上电极(4)位于所述Al1-xScxN薄膜层(2)和所述Al1-yScyN薄膜层(3)上。
2.根据权利要求1所述的多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，所述下电极(1)的材料包括Pt或TiN，厚度为10-30nm。
3.根据权利要求1所述的多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，所述Al1-xScxN薄膜层(2)中0.1x0.46，所述Al1-xScxN薄膜层(2)的厚度为30-70nm，直径为0.5-1.0mm。
4.根据权利要求1所述的多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，所述Al1-yScyN薄膜层(3)中0.1y0.46，所述Al1-yScyN薄膜层(3)的厚度为30-70nm，直径为0.1-0.4mm。
5.根据权利要求1所述的多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，所述上电极(4)的材料包括TiN，厚度为10-50nm。
6.一种多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S1、利用磁控溅射设备，在下电极(1)上生长Al1-xScxN薄膜层(2)；
S2、利用磁控溅射设备，在Al1-xScxN薄膜层(2)上生长Al1-yScyN薄膜层(3)，使得x≠y，且所述Al1-yScyN薄膜层(3)的直径小于所述Al1-xScxN薄膜层(2)的直径；
S3、利用磁控溅射设备，在所述Al1-yScyN薄膜层(3)上和所述Al1-xScxN薄膜层(2)上生长上电极(4)；
S4、对生长好的样品进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器的制备方法，其特征在于，所述下电极(1)的材料包括Pt或TiN，厚度为10-30nm。
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