[发明专利]或非闪存及其操作方法

说明书

本申请公开了一种或非闪存及其操作方法，该操作方法通过在或非闪存中增加缓存区，并写入地址数据和待存储数据至缓存区中创建的对应缓存节点而非直接写入存储区，然后再根据回刷策略写入待存储数据至地址数据对应的存储区，由于缓存区的访问速度高于存储区的访问速度，这样不仅提高了写入速度，而且由于回刷策略，待存储数据在缓存区、存储区均保留有副本，可以防止在意外情况下丢失数据，还提高了写入数据的安全性。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，具体涉及一种或非闪存及其操作方法。

背景技术

或非闪存(Nor Flash)一种非易失闪存技术，其通过芯片内执行可以允许应用程序直接在内部运行，然而，在现有应用中，或非闪存的读写速度或者数据存储的安全性可能会影响整体性能的提升。

发明内容

本申请提供一种或非闪存及其操作方法，以缓解写入速度较低或者写入数据的安全性较低的技术问题。

第一方面，本申请提供一种或非闪存的操作方法，该操作方法包括：构造或非闪存包括存储区和缓存区，缓存区的访问速度高于存储区的访问速度；响应于写入命令，在缓存区中创建对应的缓存节点，并写入节点数据至该缓存节点，节点数据包括地址数据和待存储数据；根据回刷策略，写入待存储数据至地址数据对应的存储区。

在其中一些实施方式中，响应于写入命令，在缓存区中创建对应的缓存节点，并写入节点数据至该缓存节点，节点数据包括地址数据和待存储数据的步骤包括：构造若干个缓存节点在双向链表上依次排列；判断缓存区中缓存节点的数量是否大于或者等于预设上限值；若是，淘汰若干个缓存节点之后，于双向链表上表头的所在位置创建对应的缓存节点；或者，若否，直接于双向链表上表头的所在位置创建对应的缓存节点。

在其中一些实施方式中，根据回刷策略，写入待存储数据至地址数据对应的存储区的步骤包括：配置回刷策略包括甲回刷方案；根据甲回刷方案，写入每个创建的缓存节点中的待存储数据至地址数据对应的存储区。

在其中一些实施方式中，根据回刷策略，写入待存储数据至地址数据对应的存储区的步骤包括：配置回刷策略包括乙回刷方案；根据乙回刷方案，于空闲时段中写入缓存节点中的待存储数据至地址数据对应的存储区。

在其中一些实施方式中，根据回刷策略，写入待存储数据至地址数据对应的存储区的步骤包括：配置回刷策略包括丙回刷方案；根据丙回刷方案，定时写入缓存节点中的待存储数据至地址数据对应的存储区。

在其中一些实施方式中，根据回刷策略，写入待存储数据至地址数据对应的存储区的步骤之后还包括：配置节点数据还包括标志数据，标志数据包括已回刷标识数据和未回刷标识数据，已回刷标识数据用于表征对应缓存节点中的节点数据已回刷至地址数据对应的存储区，未回刷标识数据用于表征对应缓存节点中的节点数据未回刷至地址数据对应的存储区；改写待存储数据对应的缓存节点中的未回刷标识数据为已回刷标识数据。

在其中一些实施方式中，操作方法还包括：响应于读命令，核对读命令对应的读地址是否与缓存节点中的地址数据一致；若一致，读出地址数据所在的缓存节点中的待存储数据，并移动缓存节点至双向链表中表头的所在位置，双向链表为缓存区中若干个缓存节点依序排列而成。

在其中一些实施方式中，响应于读命令，核对读命令对应的读地址是否与缓存节点中的地址数据一致的步骤之后包括：若不一致，写入存储区中与读地址对应的已存储数据至对应缓存节点中待存储数据所在的区域，并写入读地址至缓存节点中地址数据所在的区域；读出缓存节点中的已存储数据。

在其中一些实施方式中，操作方法还包括：响应于擦除命令，确定与擦除命令对应的擦除地址一致的地址数据所在的缓存节点；擦除缓存节点中的节点数据、与擦除命令对应的存储区中的已存储数据。