[发明专利]激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关

权利要求书

1.一种激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：包括介质基底(1)、介质基底(1)上印刷设有缝隙的金属条带(2)，缝隙用于加载半导体异质结(3)，半导体异质结(3)使用激光二极管(4)激励。

2.根据权利要求1所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：所述半导体异质结(3)是由有机半导体与无机半导体构成的两层或多层结构。

3.根据权利要求2所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：无机半导体的材料选自厚度为100um-500um，电阻率范围在1000Ω·cm-20000Ω·cm的材料硅。

4.根据权利要求2所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：有机半导体材料选择敏感波长接近于选用的无机半导体的敏感波长850nm的材料。

5.根据权利要求1所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：所述的激光二极管(4)工作波长是半导体异质结(3)的最佳激发波长850nm。

6.根据权利要求1所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：激光二极管(4)的光斑为长条形状，在使用红外激光二极管激励光控微波开关时，激光二极管(4)距离半导体异质结(3)长度1至2cm，将长条光斑沿开关导通方向放置。

7.根据权利要求1所述的激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，其特征在于：所述缝隙长度与半导体异质结(3)长度相同或一致，使用导电银浆进行连接。