[发明专利]降低单光子探测器中APD间串扰的方法和单光子探测器

权利要求书

1.一种降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，包括：

在一个半导体制冷片TEC上放置多个雪崩光电二极管APD；

根据输入到APD中的门脉冲的时宽设置向TEC上的各个APD输入门脉冲时的时间间隔；

根据所述时间间隔依次向各个APD输入门脉冲，获取APD输出的响应信号；

对所述响应信号进行放大和甄别获得完整的雪崩信号。

2.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，所述根据输入到APD中的门脉冲的时宽设置向TEC上的各个APD输入门脉冲时的时间间隔，包括：

设置的所述时间间隔大于门脉冲的时宽。

3.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，所述响应信号包括尖峰噪声和雪崩信号；所述对所述响应信号进行放大和甄别获得完整的雪崩信号，包括：

通过尖峰噪声抑制模块对所述响应信号中的尖峰噪声进行抑制，并通过雪崩信号放大模块对所述响应信号中的雪崩信号进行放大；

通过雪崩信号甄别模块对放大过后的雪崩信号进行甄别，并通过脉冲整形模块对甄别到的雪崩信号进行整形，以获得完整的雪崩信号。

4.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，还包括：

根据门脉冲的频率和时宽确定一个TEC上放置的APD的数量。

5.按照权利要求4所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，所述根据门脉冲的频率和时宽确定一个TEC上放置的APD的数量，包括：

根据门脉冲的频率确定门脉冲的周期；

将门脉冲的周期除以预设倍数的门脉冲的时宽得到一个TEC上放置的APD的数量；

其中，所述预设倍数至少为1倍。

6.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，所述在一个半导体制冷片TEC上放置多个雪崩光电二极管APD，包括：

对多个APD分别进行全封闭式TO封装；

将多个封装后的APD放置于导热金属夹具中；

将所述导热金属夹具放置于TEC上。

7.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，所述根据所述时间间隔依次向各个APD输入门脉冲，包括：

通过设置于各个APD阴极的隔直电容将门脉冲输入到APD中；

其中，隔直电容的一端与APD的阴极相连，另一端与门脉冲发射模块相连。

8.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，还包括：

通过设置于各个APD阴极的保护电阻将偏置电压加载到APD中；

其中，保护电阻的一端与APD的阴极相连，另一端接偏置电压。

9.按照权利要求1所述的降低单光子探测器中APD间串扰的方法，其特征在于，还包括：

通过设置于各个APD阳极的采样电阻输出所述响应信号；

其中，采样电阻的一端与APD的阳极相连，另一端接地。

10.一种单光子探测器，其特征在于包括：

至少一个TEC和多个APD，一个TEC上放置有多个APD；

门脉冲输入模块，其用于根据设置的时间间隔依次向各个APD输入门脉冲，其中所述时间间隔是根据输入到APD中的门脉冲的时宽设置的；

响应信号获取模块，其用于获取APD输出的响应信号，并对所述响应信号进行放大和甄别获得完整的雪崩信号。