[发明专利]一种降低表面颗粒的单片晶片清洗方法

权利要求书

1.一种单晶片清洗方法，其特征在于，

包括如下步骤：

S1，向旋转的晶片表面喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层,处理时间为30秒，转速500rpm/min;

S2，向旋转的晶片表面喷射清洗剂，通过去除氧化层达到去除晶片污染物的目的,处理时间为10秒，转速250rpm/min;

S3，向旋转的晶片表面再次喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层以保护晶片表面,处理时间为30秒，转速500rpm/min；

S4，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗,漂洗时间为20秒,转速1000rpm/min;

S5，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥，高纯氮气的流速为1-20L/min，处理时间为30秒，转速1500rpm/min。

2.根据权利要求1所述的一种单晶片清洗方法，其特征在于：所述所有步骤的温度为20-25摄氏度。

3.根据权利要求1所述的一种单晶片清洗方法，其特征在于：所述所有步骤中的风压控制在0±2帕。

4.根据权利要求1所述的一种单晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤S1、S3所述的氧化剂为电子级臭氧水。

5.根据权利要求1所述的一种单晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤S5所述的氮气的流速为10L/min。