[发明专利]一种压电薄膜传感器及制备方法

权利要求书

1.一种压电薄膜传感器，其特征在于，所述压电薄膜传感器包括层叠设置的n层压电层和n+1层电极层，所述压电层位于相邻的两层所述电极层之间，且相邻所述压电层并联设置，n≥2；

其中，第n层所述压电层与第n层所述电极层之间设置阶梯结构，测试状态下，测试设备通过所述阶梯结构对所述薄膜传感器施加电压。

2.根据权利要求1所述的一种压电薄膜传感器，其特征在于，当n为偶数层时，所述阶梯结构为第n层所述压电层与第n+1层所述电极层的内部在第一预设区域内形成的镂空区域，且第n层所述电极层与所述预设区域对应的位置经由所述镂空区域暴露；

当n为奇数层时，所述阶梯结构为第n层所述压电层的外沿与第n层所述电极层之间形成的错位区域，且第n层所述电极层的外沿超出所述第n+1层所述电极层的外沿。

3.根据权利要求1或2所述的一种压电薄膜传感器，其特征在于，所述薄膜传感器还包括桥接部，所述桥接部用于将相间的两层所述电极层相连，且位于相邻所述压电层之间的所述电极层与所述桥接部之间设置绝缘区，以使相邻所述电极层并联。

4.根据权利要求3所述的一种压电薄膜传感器，其特征在于，当n＝2时，所述桥接部包括第一桥接部，所述第一桥接部设置于第一层所述压电层与第二层所述压电层的外沿；第一层所述电极层和第三层所述电极层分别与所述第一桥接部相连，第二层所述电极层与所述第一桥接部之间设置所述绝缘区。

5.根据权利要求3所述的一种压电薄膜传感器，其特征在于，当n＞2，且n为奇数层时，所述桥接部包括第一桥接部和第二桥接部；

所述第一桥接部设置于第一层所述压电层至第n-1层所述压电层的外沿，位于奇数层的所述电极层与所述第一桥接部相连，位于偶数层的所述电极层与所述第一桥接部之间设置所述绝缘区；

所述第二桥接部设置于第二层所述压电层至第n层所述压电层内，且位于偶数层的所述电极层与所述第二桥接部相连，位于奇数层的所述电极层与所述第二桥接部之间设置所述绝缘区；

当n＞2，且n为偶数层时，所述桥接部包括第一桥接部和第二桥接部；

所述第一桥接部设置于第一层所述压电层至第n层所述压电层的外沿，且位于奇数层的所述电极层与所述第一桥接部相连，位于偶数层的所述电极层与所述第一桥接部之间设置所述绝缘区；

所述第二桥接部设置于第二层所述压电层至第n-1层所述压电层内，且位于偶数层的所述电极层与所述第二桥接部相连，位于奇数层的所述电极层与所述第二桥接部之间设置所述绝缘区。

6.根据权利要求3所述的一种压电薄膜传感器，其特征在于，所述桥接部与所述电极层的材质相同；

和/或，所述绝缘区设置绝缘层，所述绝缘层与所述压电层的材质相同。

7.一种压电薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在器件衬底端面上生成第一层电极层，在第一层电极层的外沿设置第一掩膜版，第一掩膜版呈环形，再在第一层电极层上生成第一层压电层；当压电层的层数n为奇数层时，所述制备方法还包括：

第一掩膜版保持，逐层生成n-1层压电层和n-1层电极层，且压电层位于相邻的两层电极层之间；

在第n-1层压电层上生成第n层电极层之前，先将第一掩膜版取下，在第n-1层压电层上生成第n层电极层，且第一掩膜版取下后的区域与第n层电极层同时溅射生长形成一体；

在第n层电极层的边缘的内侧设置第二掩膜版，第二掩膜版呈环形，再在第n层电极层上生成第n层压电层，第n层压电层位于第二掩膜版的内环；

第二掩膜版维持，再在第n层压电层上生成第n+1层电极层，最后将第二掩膜版取下。