[发明专利]键合头、键合装置和键合方法在审
申请号: | 202211506940.9 | 申请日: | 2022-11-28 |
公开(公告)号: | CN116072560A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 龙俊舟;陶超;王力 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合头 装置 方法 | ||
1.一种键合头,应用于键合装置,以键合第一键合对象和第二键合对象,其特征在于,包括:
键合块,其中,所述键合块的底面用于吸附待键合的所述第一键合对象,并将吸附的所述第一键合对象的下表面与所述第二键合对象的上表面贴合;所述键合块的底面包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括所述键合块的底面的中心区域,所述第二区域环绕所述第一区域,所述第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分,所述第二区域中设置有第二压力施加装置的至少部分;
在进行贴合前,所述第一压力施加装置和所述第二压力施加装置分别处于第一工作状态,其中,处于第一工作状态的所述第二压力施加装置用于使所述键合块的底面吸附所述第一键合对象,处于第一工作状态的所述第一压力施加装置用于使所述第一键合对象下表面的中间区域朝向背离所述键合块的底面的方向拱起;
在进行贴合时,吸附在所述键合块的底面上的所述第一键合对象的拱起的所述中间区域先于所述第一键合对象下表面的边缘区域贴合所述第二键合对象的上表面,且所述第一压力施加装置从所述第一工作状态切换至第二工作状态,以使所述第一键合对象的拱起的所述中间区域逐渐恢复形变,所述第一键合对象的下表面和所述第二键合对象的上表面依次贴合,从而将所述第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
2.根据权利要求1所述的键合头,其特征在于,
在进行贴合前,所述第一压力施加装置处于第一工作状态,所述第一压力施加装置用于向所述键合块的所述第一区域与所述第一键合对象上表面的中间区域之间填充介质,以使所述第一键合对象下表面的中间区域朝向背离所述键合块的底面的方向拱起;在进行贴合时,所述第一压力施加装置处于第二工作状态,所述第一压力施加装置用于逐渐排出所述介质,以使所述第一键合对象下表面的拱起的所述中间区域逐渐恢复形变。
3.根据权利要求2所述的键合头,其特征在于,
所述第一压力施加装置包括至少一个第一施加口和第一通道,其中,所述至少一个第一施加口设置在所述键合块底面的所述第一区域中,所述第一通道设置在所述键合块内部,并与所述至少一个第一施加口连通。
4.根据权利要求3所述的键合头,其特征在于,
所述至少一个第一施加口分别为微孔结构或者沟槽结构;和/或
所述至少一个第一施加口包括多个第一施加口,其中,一个所述第一施加口设置在所述键合块底面的中心,其它所述第一施加口分别环绕所述键合块底面的中心设置;或者,多个所述第一施加口分别环绕所述键合块底面的中心设置。
5.根据权利要求2所述的键合头,其特征在于,
所述介质包括气体介质或者液体介质。
6.根据权利要求1所述的键合头,其特征在于,
在进行贴合前,所述第二压力施加装置处于第一工作状态,所述第二压力施加装置用于在向所述键合块的所述第二区域与所述第一键合对象上表面的边缘区域之间提供第二方向压力,以使所述第一键合对象吸附在所述键合块的底面上;和/或
在进行贴合时,所述第二压力施加装置配合所述第一压力施加装置从所述第一工作状态切换至所述第二工作状态,所述第二压力施加装置用于逐渐释放所述键合块的所述第二区域与所述第一键合对象上表面的所述边缘区域之间的第二方向压力,以使所述第一键合对象的下表面和所述第二键合对象的上表面依次贴合。
7.根据权利要求6所述的键合头,其特征在于,
所述第二压力施加装置包括至少一个第二施加口和第二通道,其中,所述至少一个第二施加口设置在所述键合块底面的所述第二区域中,所述第二通道设置在所述键合块内部,并与所述至少一个第二施加口连通。
8.根据权利要求7所述的键合头,其特征在于,
所述至少一个第二施加口分别为微孔结构或者沟槽结构;和/或
所述第二压力施加装置包括多个第二施加口,均匀地分布在所述第二区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造