[发明专利]一种硫化镉单晶片的抛光方法

权利要求书

1.一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：所述方法步骤包括：

(1)将硫化镉单晶片粘接在抛光盘上用粗磨液氧化铝水溶液进行粗磨，粗磨后单晶片的减薄厚度为80～120μm；

(2)继续用粗抛液氧化镁水溶液进行粗抛，抛光盘转速为30～60r/min，压强为10～15g/cm²，粗抛液滴速为10～20滴/min，粗抛后单晶片的减薄厚度为20～30μm；

(3)继续用一次精抛液氧化镁水溶液进行一次精抛，抛光盘转速为30～50r/min，压强为10～15g/cm²，一次精抛液滴速为10～20滴/min，一次精抛后单晶片的减薄厚度为10～15μm；

(4)继续用二次精抛液硅溶胶水溶液进行二次精抛，抛光盘转速为60～90r/min，压强为10～15g/cm²，二次精抛液硅滴速为10～20滴/min；二次精抛后单晶片的减薄厚度为10～15μm；

(5)将硫化镉单晶片从抛光盘上取下，将清洗干净抛光液，去除粘接剂，检验后如无划伤，得到完成抛光的硫化镉单晶片；

水为纯水纯度以上的水；

抛光盘的转速、压强、粗抛液滴速、一次精抛液滴速和二次精抛液滴速均为恒定值。

2.根据权利要求1所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：氧化铝粉体的直径为3μm；氧化镁粉体的纯度大于97％；硅溶胶中SiO₂的含量为14％～16％，粒径为80nm～120nm。

3.根据权利要求2所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：氧化铝粉体为英国LOGITECH生产的氧化铝粉体；

氧化镁粉体为美国圣路易斯生产的氧化镁粉体；

硅溶胶为天津通创纳米材料科技有限公司生产的硅溶胶。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：粗磨液中，氧化铝粉体的质量与水的体积比为150g～250g:2000mL；

粗抛液中，氧化镁粉体的体积与水的体积比为8:150；

一次精抛液中，氧化镁粉体的体积与水的体积比为8:200；

二次精抛液中，硅溶胶的体积与水的体积比为1:1。

5.根据权利要求4所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：二次精抛液中，每5公斤硅溶胶水溶液中加入3滴～5滴双氧水。

6.根据权利要求1所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：将氧化铝粉体或氧化镁粉体与水置于容器充分混合，然后放置于滴液器上，在30rmp～50rmp转速下进一步混合均匀。

7.根据权利要求1所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：所述检验为：在放大100倍的显微镜下观察硫化镉单晶片表面有无划伤，如有划伤，需重新抛光至无划伤；用盐酸腐蚀液腐蚀硫化镉单晶片，在放大100倍的显微镜下观察表面有无划伤，如有划伤，需重新抛光至无划伤，得到完成抛光的硫化镉单晶片。

8.根据权利要求7所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：盐酸腐蚀液为盐酸与水按照体积比1:2配置得到溶液，腐蚀硫化镉单晶片15秒。

9.根据权利要求4所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：将氧化铝粉体或氧化镁粉体与水置于容器充分混合，然后放置于滴液器上，在30rmp～50rmp转速下进一步混合均匀；

在放大100倍的显微镜下观察硫化镉单晶片表面有无划伤，如有划伤，需重新抛光至无划伤；用盐酸腐蚀液腐蚀硫化镉单晶片，在放大100倍的显微镜下观察表面有无划伤，如有划伤，需重新抛光至无划伤，得到完成抛光的硫化镉单晶片；

盐酸腐蚀液为盐酸与水按照体积比1:2配置得到溶液，腐蚀硫化镉单晶片15秒。

10.根据权利要求9所述的一种硫化镉单晶片的抛光方法，其特征在于：二次精抛液中，每5公斤硅溶胶水溶液中加入3滴～5滴双氧水。