[发明专利]CMOS图像传感器的工艺方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延嵌入层；通过生长外延嵌入层的过程对所述CMOS图像传感器的形成区域进行预掺杂，提前储备部分需要的掺杂杂质，以降低后续离子注入的注入能量及注入剂量。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层，为叠层结构，包含依次形成的P型-N型-P型各外延层所组成的三明治结构。

3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层，在生长过程中对所述CMOS图像传感器的形成区域预掺杂后，能降低后续的离子注入的能量及剂量，以降低高能大剂量的离子注入对晶格造成的损伤。

4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层的制作工艺包含：

在光片晶圆上先沉积第一层P型外延，然后再沉积第二层N型外延，最后再沉积第三层P型外延，形成三明治结构，其最后形成的外延层的总厚度与不采用外延嵌入层的工艺保持一致。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的第一层P型外延的厚度为3～5微米，第二层N型外延的厚度为1～3微米，第三层P型外延的厚度为0.2～0.5微米。

6.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层中，N型掺杂的杂质包含P、As、Sb。

7.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层中其N型外延层的掺杂浓度为2E15～3E16CM-³。

8.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的工艺方法，其特征在于：所述的外延嵌入层中的N型外延层，能省略原制程中的N型杂质的高能注入，以减少对高能注入对晶格的损伤。