[发明专利]轻薄型电磁阻隔材料及其制备方法在审
申请号: | 202211510335.9 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN115742503A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 明鹏;彭学刚;彭卓悦;尹生;龙昌;汪均鉴;段敏;张裕恒;鲍禹;李志仁;李慧敏 | 申请(专利权)人: | 航天科工武汉磁电有限责任公司 |
主分类号: | B32B27/28 | 分类号: | B32B27/28;B32B27/30;B32B27/40;B32B27/36;B32B27/08;B32B7/12;B32B3/24;B32B33/00;B32B37/12;B32B37/10;B32B38/00;B32B38/04;B32B38/16;H05K9/00 |
代理公司: | 武汉维盾知识产权代理事务所(普通合伙) 42244 | 代理人: | 蒋悦 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 轻薄 电磁 阻隔 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种轻薄型电磁阻隔材料,其特征在于:该电磁阻隔材料的厚度≤4.8mm;该材料包括由下至上依次层叠设置的第一介质层、第一电阻膜层,第二介质层和第二电阻膜层,各层之间通过胶膜粘接;第一介质层的厚度≤2.0mm,第二介质层的厚度≤2.5mm。
2.根据权利要求1所述的材料,其特征在于:所述第一介质层和第二介质层均为泡沫材料层,泡沫材料为PMI泡沫、PVC泡沫、PET泡沫或PU泡沫中的一种。
3.根据权利要求1所述的材料,其特征在于:所述第一电阻膜层及第二电阻膜层均设有基材层和电阻材料层;至少在第二电阻膜层的电阻材料层上设置耐撞击处理层;耐撞击处理层为聚脲层。
4.根据权利要求3所述的材料,其特征在于:所述基材为PI或者PET材质。
5.根据权利要求1所述的材料,其特征在于:所述第一电阻膜层的方块电阻值为75Ω/sq-105Ω/sq。
6.根据权利要求1所述的材料,其特征在于:所述第二电阻膜层的方块电阻值为40Ω/sq-60Ω/sq。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的材料,其特征在于:所述胶膜为环氧胶膜。
8.权利要求1~7任意一项所述材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、采用丝网印刷方式在基材层上分别印制电阻材料层制备第一电阻膜层和第二电阻膜层,其中第二电阻膜层的电阻材料层上还喷涂或者刷涂耐撞击处理层;
S2、对第一介质层和第二介质层分别进行打孔及吹尘处理;
S3、在第一介质层铺上一层胶膜,然后将第一电阻膜层铺在胶膜上,电阻材料层朝下;
S4、在S3中的第一电阻膜层上铺第二介质层,然后铺一层胶膜,最后将第二电阻膜铺在胶膜上,耐撞击处理层朝下;
S5、将S4所得材料进行固化,最后进行裁切和封边处理,即得轻薄型电磁阻隔材料。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:S5中裁切时采用雕刻机进行操作。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:S5中封边时采用柔性聚氨酯改性环氧树脂对电磁阻隔材料进行封边处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天科工武汉磁电有限责任公司,未经航天科工武汉磁电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211510335.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。