[发明专利]温控抗过载光组件有效
申请号: | 202211513506.3 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN115763577B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 曲业飞;邱振龙;郭靖宇;邹小雪 | 申请(专利权)人: | 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/08;H01L31/02;G02F1/00;G02F1/01 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 黄玲玉 |
地址: | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温控 过载 组件 | ||
本发明公开了一种温控抗过载光组件,它属于光组件领域,即可以解决接收端,PD芯片的输入光功率过载,即入射到PD芯片的光功率大于过载光功率问题,又可以解决发射端,在不改变LD芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下,调节LD芯片光功率的问题。它主要包括管座,管座上设有管帽和芯片,管帽上设有光窗,所述管座上设有P极电引线和N极电引线,P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件,光孔和温控光学部件位于芯片上方。本发明主要用于为PD芯片或LD芯片调节透光率。
技术领域
本发明涉及一种光组件,具体地说,尤其涉及一种温控抗过载光组件。
背景技术
自由空间光通讯应用场景,由于湍流、大气扰动的存在,导致接收端入射到光电探测器的光功率闪烁。当入射到光电探测器的光功率大于过载光功率时,将导致通讯系统会产生误码,严重时甚至烧毁光电探测器芯片。
自由空间光通讯或光纤通讯应用场景,为了调整光发射端的光功率,一般有两种解决方案,①改变LD芯片的工作参数,改变激LD芯片发出的光功率;②在光链路中增加光衰减器,调整光链路内的光功率。
限流方案:在光电探测器增加电阻,以降低通过光电探测器芯片的电流,避免PD过载或烧毁。限压方案:控制PD工作电压,避免PD过载或烧毁。PD的工作电压值越大,灵敏度越好,越容易过载;PD的工作电压值越小,灵敏度越差,越不容易过载。
无论是限流方案或者限压方案,都是通过调整PD的工作参数,不能从根本上控制入射光,无法从控制输入光功率这个根本上解决问题。
发明内容
本发明的目的,在于提供一种温控抗过载光组件,即可以解决接收端,芯片的输入光功率过载,即入射到的光功率大于过载光功率问题,又可以解决发射端,在不改变芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下,调节光功率的问题。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种温控抗过载光组件,包括管座,管座上设有管帽和芯片,管帽上设有光窗,所述管座上设有P极电引线和N极电引线,P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块,温控模块上设有光孔,温控模块的光孔上方设有温控光学部件,光孔和温控光学部件位于芯片上方。
进一步地,所述的温控光学部件包括透明材质和温感聚合物液体,温感聚合物液体位于透明材质内,透明材质为凝胶玻璃或高温熔融玻璃或透明陶瓷或有机玻璃,温感聚合物液体包括温感聚合物3~10%、红外吸收剂0.1~2%、醇溶剂60~90%和去离子水,上述含量为重量百分比。
进一步地,所述的透明材质厚度0.1mm~3.0mm,长度0.1~1.0mm,宽度0.1~1.0mm。
进一步地,当温控光学部件的材料温度高于浊点时,温感聚合物液体为均相,透光率趋于100%;当温控光学部件的材料温度低于浊点时,温感聚合物液体为非均相,溶液变浑浊,温度越低,浑浊度越高,透光率越小。
进一步地,所述的温控模块包括陶瓷基板,陶瓷基板上设有薄膜电阻,薄膜电阻环设于温控光学部件下方,P极电引线和N极电引线分别电性连接薄膜电阻两端;薄膜电阻等同于一定阻值R的电阻,当有电流I从P极流向N极时产生热量,热量功率P=I2R,当薄膜电阻电流I为零时,温控光学部件不透光;当薄膜电阻电流I逐渐增加时,薄膜电阻产生热量,随着温控光学部件温度逐渐增加,温控光学部件的透光率逐渐变大,入射到芯片上的光功率也随之增大。
进一步地,所述的温控模块为TEC温控器,TEC温控器的P极与P极电引线电性连接,TEC温控器的N极与N极电引线电性连接;通过调整P极电引线、N极电引线之间的电流方向与大小,TEC温控器表面的温度不同,从而调整温控光学部件的透光率。
进一步地,所述的芯片为PD芯片或LD芯片。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的