[发明专利]宽波段的可饱和吸收体及多孤子态激光器

权利要求书

1.二维硫化锗在以下a1)～a8)中任一种的应用：

a1)可饱和吸收体材料；

a2)包括a1)所述可饱和吸收体材料的可饱和吸收体器件；

a3)包括a1)所述可饱和吸收体材料的激光器；

a4)包括a2)所述可饱和吸收体器件的激光器；

a5)包括a1)所述可饱和吸收体材料的设备；

a6)包括a2)所述可饱和吸收体器件的设备；

a7)包括a3)所述激光器的设备；

a8)包括a4)所述激光器的设备。

2.可饱和吸收体材料，其特征在于，包括二维硫化锗。

3.可饱和吸收体器件，其特征在于，包括光学元件和负载在所述光学元件上的权利要求2所述的可饱和吸收材料。

4.根据权利要求3所述的可饱和吸收体器件，其特征在于，所述光学元件包括光纤。

5.根据权利要求4所述的可饱和吸收体器件，其特征在于，所述光纤设有锥区，所述可饱和吸收体材料沉积于所述锥区。

6.激光器，其特征在于，包括权利要求2所述的可饱和吸收体材料，或包括权利要求3至5任一项所述的可饱和吸收体器件。

7.根据权利要求6所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括沿光传播方向依次设置的泵浦源和激光谐振腔，所述可饱和吸收体器件设置于所述激光谐振腔内。

8.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述泵浦源提供近红外波段的泵浦光，所述激光谐振腔包括沿光传播方向依次连接的波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、所述可饱和吸收体、光纤耦合器和偏振控制器。

9.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述泵浦源提供中红外波段的泵浦光，所述激光谐振腔包括沿光传播方向依次连接的波分复用器、增益光纤、偏振控制器、所述可饱和吸收体、光纤耦合器和偏振无关隔离器。

10.设备，其特征在于，包括权利要求2所述的可饱和吸收体材料，或包括权利要求3至5任一项所述的可饱和吸收体器件，或包括权利要求6至9任一项所述的激光器。