[发明专利]检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法

说明书

提供了一种用于检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法。该方法包括：在包括N个条目的寄存器中存储关于多条字线中的N条字线的地址信息和激活计数信息；基于与N条字线不同的第一字线的激活，在N个条目中的从其驱逐了信息的条目中存储关于第一字线的地址信息和激活计数信息；以及基于在第一周期中对寄存器执行驱逐的次数生成第一弱点信息。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年12月2日提交的韩国专利申请No.10-2021-0171202和于2022年4月27日提交的韩国专利申请No.10-2022-0052229的优先权，以上申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种存储器装置及其操作方法，更具体地说，涉及一种检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法。

背景技术

高性能电子系统中使用的存储器装置的集成度和速度都在提高。在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器装置中，当特定存储器单元的存取频率增加时，与特定存储器单元相邻的存储器单元可能会受到压力。结果，相邻存储器单元的数据保持特性受到影响，从而数据可靠性劣化。例如，当特定字线被密集激活时，连接到与特定字线相邻的一条或多条字线的存储器单元的数据保持特性可劣化，因此，可以对与特定字线相邻的一条或多条字线执行目标刷新以确保数据可靠性。存储器装置可包括用于对关于多条字线的激活次数计数以控制目标刷新执行的组件。

然而，当仅通过对字线的激活次数进行计数来执行诸如护理刷新之类的护理操作时，护理操作实际上是在没有详细确定数据丢失的可能性的情况下执行的，因此存储器装置的资源利用效率可劣化。例如，特定字线的激活次数增加的情况不仅可在正常的存储器操作中发生，也可通过来自外部的恶意攻击发生。在这方面，不详细确定存储器装置的操作模式的护理操作可浪费存储器装置的资源。

发明内容

一个或多个实施例提供了一种能够基于存储器装置的详细操作模式检测存储器装置的弱点的存储器装置及其操作方法。

根据实施例的一方面，提供了一种操作包括多条字线和包括N个条目(N是等于或大于2的整数)的寄存器的存储器装置的方法。所述方法包括：在寄存器中存储关于多条字线中的N条字线的地址信息和激活计数信息；基于不同于N条字线的第一字线的激活，将关于第一字线的地址信息和激活计数信息存储在N个条目中的从中驱逐了信息的条目中；以及基于在第一周期中对寄存器执行驱逐的次数生成第一弱点信息。

根据实施例的一方面，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多条字线；刷新控制器，其被配置为控制对多条字线的刷新操作；控制逻辑电路，其被配置为在包括N个条目(N是等于或大于2的整数)的寄存器中存储关于多条字线中的N条字线的地址信息和激活计数信息，基于与N条字线不同的第一字线的激活驱逐存储在N个条目中的至少一个条目中的信息，以及在所述至少一个条目中存储关于第一字线的地址信息和激活计数信息；以及弱点检测电路，其被配置为基于在第一周期中对寄存器执行驱逐的次数生成第一弱点信息。

根据实施例的一方面，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多条字线；刷新控制器，其被配置为控制对多条字线的刷新操作；控制逻辑电路，其被配置为在包括N个条目(N是等于或大于2的整数)的寄存器中存储地址信息和激活计数信息，以及基于对寄存器执行的驱逐生成驱逐信息；以及弱点检测电路，其被配置为基于驱逐信息生成对应于第一周期的第一弱点信息和对应于比第一周期更长的第二周期的第二弱点信息。弱点检测电路包括：第一当前状态计数器，其被配置为生成和存储指示在当前第一周期中的驱逐次数的驱逐计数信息；以及第一先前状态寄存器，其被配置为存储对应于先前第一周期的驱逐计数信息。弱点检测电路还被配置为基于对应于当前第一周期的驱逐计数信息与对应于先前第一周期的驱逐计数信息之间的比较生成第一弱点信息。

附图说明

从下面结合附图的实施例的描述中，以上和其它方面和特征将变得更清楚，在附图中：