[发明专利]一种有机去膜液及其制备方法

说明书

本申请涉及印制电路板加工技术领域，更具体地说，它涉及一种有机去膜液及其制备方法。有机去膜液，由如下重量千分比的组分组成：醇胺50‑70‰、烷基季胺盐20‑40‰、pH缓冲剂8‑12‰、脂肪胺2‑4‰、氮唑类化合物0.1‑2‰、螯合剂3‑7‰、余量为水。本申请中由上述配比制得的有机去膜液，除在精细化电路产品中仍具备优异的干膜去除率外，高达98.5‑99.6%，还可有效满足MSAP制程工艺的需求。

技术领域

本申请涉及印制电路板加工技术领域，更具体地说，它涉及一种有机去膜液及其制备方法。

背景技术

随着电子行业产品的飞速迭代，如何使其产品功能多样化、小型轻量化、精细线路设计化成为了当下发展的必然趋势，因而能满足其综合设计要求的MSAP制程也就应运而生。

相关技术中的MSAP制程工艺，其相比于减成蚀刻法和加成法具有如下优点：1)线路加工能力较强，其线宽间距设计可小于25um；2)加工成本较低，可有效减少Cu和蚀刻液的消耗；3)制程稳定性高，产品性能稳定。

但随着电路设计的精细化和复杂化，相应的其干膜的剥除难度也显著提升，常规以乙醇胺类、四甲基氢氧化胺、氨水等组分复配的有机去膜液已经无法满足其制程要求，干膜的不良率高达3-5％，因而迫切需要提供一种能高效去除干膜的有机去膜液及其制备方法。

发明内容

为保障有机去膜液的干膜去除率和铜面质量，使其可以符合MSAP制程工艺的要求，本申请特提供一种有机去膜液及其制备方法。

第一方面，本申请提供一种有机去膜液，采用如下的技术方案：

一种有机去膜液，由如下重量千分比的组分组成：醇胺50-70‰、烷基季胺盐20-40‰、pH缓冲剂8-12‰、脂肪胺1-5‰、氮唑类化合物0.1-2‰、螯合剂3-7‰、余量为水；

其中氮唑类化合物的结构通式如下：

其中R₁选自—NH₂或—CO-NH₂；

R₂选自—COOH、—SH、—NH₂、—CH₃和—Ph。

通过采用上述技术方案，由上述醇胺、烷基季胺盐、pH缓冲剂、脂肪胺、氮唑类化合物、螯合剂和水共混而成的有机去膜液，其在应用于精细化加工(线宽间距设计小于25um)时，其干膜去除率仍可高达98.5-99.6％；

分析其原因可能如下：

本申请中所用的有机去膜液其主要作用于干膜与铜的交联处，即先通过碱组分咬蚀线路(铜)的侧壁，并生成铜离子，再借助螯合剂促使铜离子脱离线路(铜)的侧壁，然后借助氮唑类化合物中N的孤对电子与零价铜强行结合，通过三者的相互协同作用，起到了铜与干膜的微观切开作用，即可高效高质地完成干膜的剥除；

此外上述有机去膜液对铜的咬蚀速率仅为0.005-0.01um/min，不易对线路精度产生影响的同时，其铜面质量良好，除无肉眼可见缺陷外，AOI扫描时亦基本无假点产生，从而保障了PCB板的加工性能和良品率。

优选的，通式(I)所表示的氮唑类化合物包括如下化合物：

/

优选的，所述氮唑类化合物由式(I-1)和式(I-2)按重量比1:(0.3-0.5)组成。

通过采用上述技术方案，由上述组分和/或配比制得的氮唑类化合物，其可有效复配协同螯合剂，协同作用于铜与干膜的交联处，并凭借其对铜与干膜的微观切开作用，完成两者的分离，从而保障制程要求。

优选的，所述螯合剂选自葡庚糖酸钠、乙醇二葡萄糖酸钠、氮川三乙酸钠、1，3-丙二胺四乙酸钠、乙二胺四乙酸钠、谷氨酸二乙酸四钠、羟乙基乙二胺三乙酸钠和二乙烯三胺五乙酸钠中一种或多种。