[发明专利]一种用于使硅片中的大级别缺陷显现的方法和系统

权利要求书

1.一种用于使硅片中的大级别缺陷显现的方法，其特征在于，所述方法包括：

使金属离子沾附在所述硅片的表面；

对所述硅片进行第一热处理以使所述金属离子固溶在所述硅片中，其中，固溶的所述金属离子在所述大级别缺陷的高活跃性的作用下聚集在所述大级别缺陷处；

对所述硅片进行第二热处理以使所述金属离子析出并由此在所述大级别缺陷处提供应力；

对所述硅片进行第三热处理以使所述硅片中的大级别缺陷在所述应力的作用下扩展。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使金属离子沾附在所述硅片的表面通过将所述硅片浸没在含有所述金属离子的溶液中实现。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅片浸没在所述溶液中的时间介于20分钟至1小时之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属离子为铜离子或锂离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热处理的处理温度介于700℃至800℃之间，并且所述第一热处理的处理时间介于1小时至4小时之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二热处理的处理温度介于室温至400℃之间，并且所述第二热处理的处理时间介于0.5小时至1.5小时之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三热处理的处理温度介于1050℃至1250℃之间，并且所述第三热处理的处理时间介于3小时至6小时之间。

8.一种用于使硅片中的大级别缺陷显现的系统，其特征在于，所述系统包括：

沾附装置，所述沾附装置用于使金属离子沾附在所述硅片的表面；

热处理装置，所述热处理装置用于对所述硅片进行第一热处理以使所述金属离子固溶在所述硅片中，其中，固溶的所述金属离子在所述大级别缺陷的高活跃性的作用下聚集在所述大级别缺陷处，所述热处理装置还用于对所述硅片进行第二热处理以使所述金属离子析出并由此在所述大级别缺陷处提供应力，所述热处理装置还用于对所述硅片进行第三热处理以使所述硅片中的大级别缺陷在所述应力的作用下扩展。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述沾附装置包括：

容器，所述容器用于容纳含有所述金属离子的溶液；

搬送机构，所述搬送机构用于对于所述硅片进行移动以使所述硅片浸没在容纳于所述容器的所述溶液中。