[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷材料及其去除残碳的方法在审
| 申请号： | 202211526810.1 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115872784A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张冰清;韩耀;张剑;崔凤单;吴焘 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;C04B41/00;C04B38/00;C04B35/589 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 陶瓷材料 及其 去除 方法 | ||
1.一种去除多孔氮化硅陶瓷材料残碳的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)对多孔氮化硅陶瓷材料进行微波加热，得到微波加热陶瓷材料；
(2)在有氧环境下对所述微波加热陶瓷材料进行初始热处理，得到初始热处理陶瓷材料。
(3)在无氧环境下对所述初始热处理陶瓷材料进行进一步热处理，得到经过除碳处理的陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述多孔氮化硅陶瓷材料为经过浸渍-裂解工艺制得的多孔氮化硅陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述浸渍-裂解工艺包括3～6次浸渍-裂解循环。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多孔氮化硅陶瓷材料的孔隙率为50％～10％、碳含量为1～15wt％的多孔氮化硅陶瓷材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述微波加热的微波功率为400～1200W；优选的是，所述步骤(1)中，所述微波加热的加热时间为0.5～5h。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述处理步骤的气氛为常压静态空气、常压流动空气或流动氧气气氛。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述初始热处理的处理温度为300～900℃；优选的是，所述步骤(2)中，所述初始热处理的处理时间为1～10h；优选的是，所述步骤(2)中，所述升温速率为1～10℃/min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述进一步热处理所采用的气氛为常压静态氨气或常压流动氨气。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述进一步热处理的处理温度为300～900℃；所述步骤(3)中，所述进一步热处理的处理时间为1～10h；优选的是，所述步骤(2)中，所述升温速率为1～10℃/min。
10.根据权利要求1至10中任一项所述的方法制得的多孔氮化硅陶瓷材料；优选的是，所述多孔氮化硅陶瓷材料的含碳量为低于2％，优选低于0.8％，更优选低于0.6％。
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