[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮基半导体层；

第二氮基半导体层，设置在所述第一氮基半导体层上，其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，以便在其间形成具有二维电子气(2DEG)区域的异质结；

栅极电极，设置在所述第二氮基半导体层之上；以及

源极电极和漏极电极，设置在所述第二氮基半导体层之上，其中所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间，以界定所述栅极电极和所述漏极电极之间的漂移区；以及

一群负电荷离子，注入所述漂移区且在所述2DEG区上方，与所述栅极电极和所述漏极电极隔开，并与区域隔开，所述区域在所述栅极电极和所述漏极电极正下方，其中所述栅极电极比所述漏极电极更接近所述负电荷离子，使所述负电荷离子耗尽在所述栅极电极附近的所述2DEG区域的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极沿一方向延伸，所述负电荷离子沿所述方向分布，以在所述漂移区中形成高电阻条带。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

掺杂的氮基半导体层，设置在所述第二氮基半导体层和所述栅极电极之间，并与所述负电荷离子隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极沿一方向延伸，所述负电荷离子沿所述方向分布，以在所述漂移区中形成多个高电阻区块。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述高电阻区块呈梯形。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述高电阻区块具有短侧和长侧，其中所述长侧在所述短侧和所述漏极电极之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述负电荷离子从所述第二氮基半导体层的上表面分布到所述第二氮基半导体层的下表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述负电荷离子的分布密度从所述第二氮基半导体层的所述上表面到所述下表面变化。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二氮基半导体层中所述负电荷离子的分布密度沿一方向是不均匀的，其中所述方向为从所述第二氮基半导体层的上表面指向所述第二氮基半导体层的下表面的方向。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二氮基半导体层中所述负电荷离子的所述分布密度沿所述方向先升后降。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述负电荷离子与所述第二氮基半导体层的上表面和下表面隔开。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

介电层，覆盖所述栅极电极和所述第二氮基半导体层，其中所述负电荷离子与界面相邻，所述界面形成于第二氮基半导体层和介电层之间，并且所述源极电极和所述漏极电极贯穿所述介电层以与所述第二氮基半导体层接触。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述半导体器件不包括场板。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述负电荷离子是选自高电负性元素群的掺质。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述负电荷离子包括氟。