[发明专利]一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

说明书

本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，以在将背接触电池包括的N区和P区隔离开后防止对背接触电池造成损伤。所述背接触电池包括：半导体基底、透明导电层以及隔离保护结构。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。在每个隔离区域上形成有至少贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。隔离保护结构形成在隔离槽槽底的部分区域上。隔离保护结构的材料至少包括透明导电层的材料。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触电池及其制造方法、光伏组件。

背景技术

背接触电池指发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的太阳能电池。与正面有遮挡的太阳能电池相比，背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

但是，用于将背接触电池包括的N区和P区隔离开的工艺容易对背接触电池造成损伤，导致背接触电池的良率降低，不利于提升背接触电池的电学性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，用于在将背接触电池包括的N区和P区隔离开后防止对背接触电池造成损伤，增大背接触电池的良率，利于提升背接触电池的电学性能。

第一方面，本发明提供了一种背接触电池，该背接触电池包括：半导体基底、透明导电层以及隔离保护结构。

上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。在每个隔离区域上形成有至少贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。隔离保护结构形成在隔离槽槽底的部分区域上。隔离保护结构的材料至少包括透明导电层的材料。

采用上述技术方案的情况下，背接触电池包括的半导体基底具有的第二面具有交替分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域和相应P型区域之间的隔离区域。该隔离区域可以将导电类型相反的N型区域和P型区域隔离开，抑制载流子在二者的横向交界处发生复合，提高背接触电池的光电转换效率。另外，背接触电池包括的透明导电层覆盖在上述第二面上。其中，透明导电层位于N型区域上的部分可以降低N型区域和第一电极之间接触势垒，利于电子的导出。透明导电层位于P型区域上的部分可以降低P型区域和第二电极之间的接触势垒，利于空穴的导出。基于此，在每个隔离区域上形成有至少贯穿透明导电层的隔离槽，该隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开，防止背接触电池短路，提高背接触电池的电学稳定性。

再者，背接触电池还包括形成在隔离槽槽底的部分区域上的隔离保护结构。此时，通过隔离槽暴露在外的膜层的表面覆盖有该隔离保护结构，从而使得隔离保护结构可以在后续制备电极等工序时保护这些膜层不易受到刻蚀等操作的影响、以及使得这些膜层在电池堆叠搬运时不易被磨损，提高这些膜层的成膜质量，进而增大背接触电池的良率，利于提升背接触电池的光电转换效率。其次，上述隔离保护结构至少包括透明导电层的材料。此时，在形成覆盖于第二面上的透明导电材料后，可以在该透明导电材料位于隔离区域上的部分进行图案化处理，形成隔离槽的同时，还可以通过透明导电材料对应隔离槽的部分形成隔离保护结构。换句话说，无须为了实现N型区域和P型区域隔离开而对隔离槽槽底的膜层造成过度刻蚀，从而在防止暴露在隔离槽槽底的膜层造成刻蚀损伤的同时，还可以通过该隔离保护结构对上述膜层进行保护，进而可以增大背接触电池的良率，利于提升背接触电池的电学性能。

作为一种可能的实现方式，沿隔离槽的长度方向，隔离保护结构包括间隔分布的至少两个隔离保护部。