[发明专利]一种具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法及其产品和应用

权利要求书

1.一种具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解在有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到均匀透明溶液；

(2)取步骤(1)得到的均匀透明溶液滴注在导电基底上，干燥后去除有机溶剂得到透明的聚偏氟乙烯基薄膜；

(3)将步骤(2)得到的聚偏氟乙烯基薄膜进行热处理的同时在针尖上施加电场，使其击穿空气形成电晕电场，并在不同图案的导电网栅上施加电场调控电晕电场的再分布，制备得到具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将0.8～1.2g聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解在10mL N,N-二甲基甲酰胺中。

3.根据权利要求1所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，聚偏氟乙烯基薄膜热处理的温度条件为160～200℃，热处理的处理时间为0.5～1h。

4.根据权利要求1所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，热处理过程中针尖与导电基底之间的距离为10～20mm。

5.根据权利要求1所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯铁电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，施加在针尖的电场强度为5～10kV/cm，导电网栅与导电基底之间的距离为2～10mm，施加在导电网栅的电场强度为5～15kV/cm。

6.根据权利要求1所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯基铁电薄膜为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)铁电薄膜、聚偏氟乙烯铁电薄膜、聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯铁电薄膜、聚偏氟乙烯-六氟丙烯铁电薄膜。

7.一种权利要求1-6任一所述的制备方法制备的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜。

8.一种权利要求7所述的具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜在制备能量收集、生物传感或铁电存储的产品上的应用。