[发明专利]一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组

说明书

本发明公开了一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组，在透明基板上制作与芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位，在量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层，因此转换装置是在透明基板上独立制作的，相较于现有技术中在衬底层上加工转换层，将全彩色量子点转换装置倒置后与所述集成式单色Micro LED模组基底对齐粘合，能够提高制作效率。并且转换装置使用量子点‑量子点保护层‑金属反射层‑金属隔离层的组合结构，可以在全彩色Micro LED显示时提升出光强度、消除光色间串扰。

本案是以申请日为2022年01月28日，申请号为202210104851.5，名称为“一种彩色Micro LED显示芯片模组的制造方法”的发明专利为母案而进行的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组。

背景技术

现有的全彩色Micro LED显示有两种方案：第一种是RGB单颗巨量转移，将大量的独立RGB LED芯片分别转移到同一个基板内；第二种是基于单色Micro LED，在其芯片上使用量子点进行转换。

但是现有的全彩色显示方案中，第一种巨量转移方式其效率始终得不到提升，且其单个像素的尺寸受到转移装置的局限；第二种基于单色Micro LED结合量子点的方式其显示效果常受到衬底剥离和颜色串扰问题的影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组，能够解决衬底剥离困难和光色串扰的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种全彩色量子点转换装置的制造方法，包括步骤：

在衬底上制备Micro LED芯片，将所述芯片进行研磨切割后倒装焊接在驱动基板上，对所述芯片进行衬底剥离，得到集成式单色Micro LED模组基底；

在透明基板上制作与所述芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位，在所述量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层，在所述量子点保护层上方位于量子点孔位之间的位置依次制备金属反射层和金属间隔层，得到全彩色量子点转换装置；

将所述全彩色量子点转换装置倒置后与所述集成式单色Micro LED模组基底对齐粘合，得到彩色Micro LED显示芯片模组。

本发明的有益效果在于：在衬底上制备Micro LED芯片，将芯片研磨切割后倒装焊接在驱动基板上，对芯片进行衬底剥离，因此相较于现有技术中对芯片晶圆进行整面剥离，剥离难度小、良率高。在透明基板上制作与芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位，在量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层，因此转换装置是在透明基板上独立制作的，相较于现有技术中在衬底层上加工转换层，将全彩色量子点转换装置倒置后与所述集成式单色Micro LED模组基底对齐粘合，能够提高制作效率。并且转换装置使用量子点-量子点保护层-金属反射层-金属隔离层的组合结构，可以在全彩色Micro LED显示时提升出光强度、消除光色间串扰。

附图说明

图1为本发明实施例的一种全彩色量子点转换装置的制造方法的流程图；

图2为集成式GaN基单色Micro LED芯片的结构示意图；

图3为彩色Micro LED显示芯片模组结构的示意图；

图4为传统的全彩色集成式Micro LED转换结构的示意图；

标号说明：