[发明专利]一种低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路

权利要求书

1.一种低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，用于对压电薄膜传感器的电信号进行放大和降噪，其特征在于，包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一运算放大器(U1)、第二运算放大器(U2)、第一低压差线性稳压器(U3)、第一连接器(P1)和第二连接器(P2)；

压电薄膜传感器的输入正端接第三电阻(R3)的一端，输入负端接地，第三电阻(R3)的另一端接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端与第四电阻(R4)的一端和第二电容(C2)的一端接第一运算放大器(U1)的输入负端，第四电阻(R4)的另一端与第二电容(C2)的另一端接第一运算放大器(U1)的输出端，第一电阻(R1)的一端接第一低压差线性稳压器(U3)的输出端，第二电阻(R2)的一端接地，第一电阻(R1)的另一端和第二电阻(R2)的另一端接第一运算放大器(U1)的输入正端。第一运算放大器(U1)的输出接第二运算放大器(U2)的输入正端，第六电阻(R6)的一端与第五电阻(R5)的一端接第二运算放大器(U2)的输入负端，第六电阻(R6)的另一端接第三电容(C3)的一端，第三电容(C3)的另一端接地，第五电阻(R5)的另一端和第七电阻(R7)的一端接第二运算放大器(U2)的输出端，第七电阻(R7)的另一端为整个信号放大电路的信号输出端；

输入的电源正端接第六电容(C6)的一端和第一低压差线性稳压器(U3)的输入端，第一低压差线性稳压器(U3)的输出端接第七电容(C7)的一端、第四电容(C4)的一端和第五电容(C5)的一端；第一低压差线性稳压器(U3)的地极、第六电容(C6)的另一端、第七电容(C7)的另一端、第四电容(C4)的另一端和第五电容(C5)的另一端均接地；

连接器(P1)具有两个端口，连接器(P1)的第一端口和第二端口分别为压电薄膜传感器的输入正端和输入负端；连接器(P2)具有三个端口，第一端口、第二端口和第三端口分别为电源正端、信号输出端和电源地端。

2.如权利要求1所述的低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，其特征在于，所述的第一运算放大器(U1)采用双通道高速JFET输入运算放大器OPA2132。

3.如权利要求1所述的低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，其特征在于，所述的第二运算放大器(U2)采用双通道高速JFET输入运算放大器OPA2132。

4.如权利要求1所述的低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，其特征在于，所述的第一低压差线性稳压器(U3)采用LM1117-3.3。

5.如权利要求1所述的低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，其特征在于，所述的第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)的大小均为1uF，所述的第五电容(C5)和第六电容(C6)的大小均为10uF，所述的第七电容(C7)的大小为22uF。

6.如权利要求1所述的低噪声压电薄膜传感器的信号放大电路，其特征在于，第一电阻(R1)的大小为100kΩ，第二电阻(R2)的大小为100kΩ，第三电阻(R3)的大小为4.7kΩ，第四电阻(R4)的大小为100MΩ，第五电阻(R5)的大小为50kΩ，第六电阻(R6)的大小为1kΩ，第七电阻(R7)的大小为1kΩ。