[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件在审
申请号: | 202211543886.5 | 申请日: | 2022-11-30 |
公开(公告)号: | CN115842062A | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 金井升;张临安 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 邵飞 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:
基底(1),所述基底(1)具有第一表面(1a);
隧穿氧化层(2),所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a);
掺杂导电层(3),所述掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面;
本征多晶硅层(4),所述本征多晶硅层(4)设置于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面;
增强导电部(5),所述增强导电部(5)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面,至少部分的所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)相连接;
第一电极(6),多个所述第一电极(6)设置于所述增强导电部(5)远离所述本征多晶硅层(4)的一侧,每个所述第一电极(6)的至少部分位于所述增强导电部(5)内,以通过所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)电连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电部(5)包括相连接的增强导电膜(51)和增强导电桩(52),所述增强导电膜(51)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面;
沿所述太阳能电池的厚度方向,所述增强导电桩(52)的两端分别与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)相连接。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电膜(51)的电导率和所述增强导电桩(52)的电导率均大于所述掺杂导电层(3)的电导率。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电膜(51)的厚度D1满足:1nm≤D1≤40nm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电膜(51)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电桩(52)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
7.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电桩(52)形成于所述本征多晶硅层(4)内;
所述增强导电桩(52)贯穿所述本征多晶硅层4,以与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)连接。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂导电层(3)与所述增强导电膜(51)具有相同导电类型的掺杂元素,且所述增强导电膜(51)的掺杂浓度大于所述掺杂导电层(3)的掺杂浓度;
所述增强导电膜(51)中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层(3)的方向渗透,以形成所述增强导电桩(52)。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂导电层(3)中所述掺杂元素的浓度为1×1018atoms/cm3~5×1021atoms/cm3。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述增强导电膜(51)中所述掺杂元素的浓度为5×1018atoms/cm3~1×1022atoms/cm3。
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