[发明专利]一种片上超紧凑波长复用-解复用器件及制造方法在审
申请号: | 202211544775.6 | 申请日: | 2022-12-02 |
公开(公告)号: | CN115857096A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 刘敏;陈代高 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/13 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 彭程程 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 片上超 紧凑 波长 解复用 器件 制造 方法 | ||
1.一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于,包括:
衬底层;
波导层,其设置在所述衬底层上,所述波导层包括入射波导以及两个呈一定夹角设置的出射波导;以及
波长复用-解复用区,其设置在所述入射波导和两个出射波导之间,所述波长复用-解复用区被配置为:可使经所述入射波导传递的第二波长的传输光直接穿透以从一个出射波导输出,并可使经所述入射波导传递的第一波长的传输光发生反射以从另一个出射波导输出。
2.根据权利要求1所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:所述波长复用-解复用区包括多个间隔设置的折射率结构层,所述折射率结构层的宽度为所述第二波长的四分之一,且相邻两个所述折射率结构层之间的间距也为所述第二波长的四分之一。
3.根据权利要求2所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:每个所述低折射率结构层的形状均为抛物线的一部分,且所述抛物线的焦点与所述入射波导中心在同一水平线上。
4.根据权利要求3所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:两个所述出射波导垂直布置,且其中一个所述出射波导与所述入射波导中心在同一水平线上。
5.根据权利要求2所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:每个所述低折射率结构层的形状均为椭圆曲线一部分,且所述椭圆曲线的焦点与所述入射波导中心在同一水平线上。
6.根据权利要求2所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于,所述波长复用-解复用区包括N≥2个间隔设置的折射率结构层。
7.根据权利要求1所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:所述衬底层和波导层之间还设有绝缘体结构层。
8.根据权利要求7所述的一种片上超紧凑波长复用-解复用器件,其特征在于:所述波导层上还设有波导覆盖层。
9.一种片上超紧凑波长复用-解复用器件的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
依次沉积衬底层、绝缘体结构层和波导层,并制作波导层的入射波导和两个出射波导;
在所述入射波导和两个所述出射波导之间制作波长复用-解复用区,所述波长复用-解复用区被配置为:可使经所述入射波导传递的第二波长的传输光直接穿透以从一个出射波导输出,并可使经所述入射波导传递的第一波长的传输光发生反射以从另一个出射波导输出。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在所述入射波导和两个所述出射波导之间制作波长复用-解复用区,所述波长复用-解复用区被配置为:可使经所述入射波导传递的第二波长的传输光直接穿透以从一个出射波导输出,并可使经所述入射波导传递的第一波长的传输光发生折射以从另一个出射波导输出,包括:
利用光刻胶掩模在所述入射波导和两个所述出射波导交界处制作波长复用-解复用区,通过刻蚀形成多个宽度和间距均为所述第二波长的四分之一的刻蚀槽;
在每个的刻蚀槽中填充低于波导折射率的折射率材料,形成一组折射率结构层。
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