[发明专利]钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种钨的填充方法，用于在孔洞中填充钨，其特征在于，包括以下步骤：

在所述孔洞的内壁上生长硅层；

向所述孔洞内通入WF₆气体，使WF₆气体与所述硅层发生置换反应，将硅层置换为钨层；

在所生成的钨层表面生长硅层并通入WF₆气体进行下一层钨层的置换；

重复以上步骤，直至置换生成的钨填满所述孔洞。

2.根据权利要求1所述的钨的填充方法，其特征在于，在每轮置换反应完成后，对置换所生成的钨层表面进行等离子处理。

3.根据权利要求1所述的钨的填充方法，其特征在于，在所述硅层生长之前，在所述孔洞的内壁上不设置黏着层。

4.根据权利要求1所述的钨的填充方法，其特征在于，在钨填满所述孔洞后，还包括对所述孔洞的表面进行平坦化的工艺。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成一个或两个以上半导体芯片组件；

在所述半导体衬底以及所述半导体芯片组件之上形成层间电介质；

在所述层间电介质中形成延伸至所述半导体衬底内的接触窗；

根据权利要求1-4任一项所述的钨的填充方法填充所述接触窗；

对所述半导体衬底执行背面减薄工艺，以在所述半导体衬底的背面露出所述接触窗。

6.根据权利要求5所述的半导体的制造方法，其特征在于，在所述接触窗的形成步骤中，在所述层间电介质之上设置图案化的硬掩膜，通过湿法刻蚀或干法刻蚀工艺形成所述接触窗。

7.根据权利要求5所述的半导体的制造方法，其特征在于，在所述接触窗填充完成后，还包括以下步骤：在所述接触窗以及所述层间电介质之上形成金属层间电介质，并在所述金属层间电介质中形成第一导电元件，所述第一导电元件与所述半导体芯片组件和所述接触窗电连接。

8.根据权利要求5所述的半导体的制造方法，其特征在于，在执行所述背面减薄工艺后，还包括以下步骤：在所述半导体衬底的背面形成背部介电层，且在所述背部介电层中形成第二导电元件，所述第二导电元件与所述接触窗电连接。

9.一种根据权利要求5-8任一项所述的半导体的制造方法制造而成的半导体器件。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述接触窗内填充有钨，所述钨内部不存在缝隙且所述钨与所述接触窗的内壁之间不存在黏着层。