[发明专利]提高MicroLED芯片亮度的方法在审
| 申请号： | 202211549463.4 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115763662A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 何赟;罗珊 | 申请（专利权）人： | 深圳市帝晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 鲁勇杰 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 microled 芯片 亮度 方法 | ||
1.一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：使用金属有机化学气相沉积法在半导体衬底上生成N-GaN半导体层；
步骤二：对所述N-GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行蚀刻，得到生成棱形的N-GaN半导体层；
步骤三：使用金属有机化学气相沉积法在蚀刻出棱形的N-GaN半导体层上生成量子阱；
步骤四：使用金属有机化学气相沉积法在所述量子阱上生成P-GaN半导体层；
步骤五：对所述P-GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行刻蚀，在P-GaN半导体层上生成与N-GaN半导体层上的棱形正相交的棱形。
2.根据权利要求1所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述半导体衬底选用蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤二中N-GaN半导体层的刻蚀深度为2000A-4000A。
4.根据权利要求1所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤五中P-GaN半导体层的刻蚀深度为30A-50A。
5.根据权利要求1所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤二和步骤五中，N-GaN半导体层上棱形的顶尖角角度和P-GaN半导体层上棱形的顶尖角角度均为90°-110°。
6.根据权利要求1所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤二和步骤五中使用氢氧化钾的乙二醇溶液或氢氧化钠的的乙二醇溶液进行刻蚀操作。
7.根据权利要求6所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤二中使用氢氧化钾的乙二醇溶液或氢氧化钠的乙二醇溶液的浓度为0.8-1.8mol/L，刻蚀温度为80-120℃。
8.根据权利要求6所述的一种提高Micro LED芯片亮度的方法，其特征在于：所述步骤五中使用氢氧化钾的乙二醇溶液或氢氧化钠的乙二醇溶液的浓度为0.2-0.6mol/L，刻蚀温度为70-100℃。
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