[发明专利]一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法

权利要求书

1.一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷，所述共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于所述陶瓷基层上表面的钨钢金属化层；

所述陶瓷基层采用中温烧结技术密化烧结；

所述钨钢金属化层采用钨网铜颗粒填充技术，通过在钨铜金属化表面套印钨金属化的方法降低挥发。

2.根据权利要求1所述的一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：所述钨网铜颗粒填充技术具体包括：

A、先在生瓷表面印刷钨铜金属化浆料作为基层；

B、通过在钨铜金属化表面再套印中温瓷共烧钨浆的方法实现陶瓷表面金属化。

3.根据权利要求1所述的一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：位于所述共烧低阻导带材料下方的基层钨铜金属化按质量百分比由以下物料组成：铜粉60%-90%，钨粉5%-35%，陶瓷瓷粉2%-15%。

4.根据权利要求1所述的一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：所述钨钢金属化层套印所使用的表层中温陶瓷共烧钨金属化按质量百分比由以下物料组成：钨粉80%-95%，陶瓷瓷粉5%-20%。

5.根据权利要求1所述的一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：所述中温陶瓷中原料按质量百分比由以下物料组成：玻璃粉20%-25%，着色剂2.5%-5%，其余为氧化铝粉料；玻璃粉中原料按质量百分比由以下物质组成：SiO₂：CaO：MgO：PbO：B₂O₃：BaO=49.3%-88.6%：4.5%-8.1%：0.3-4.8%：0.6%-14.8%：0.8%-5.3%：0-25.8%；着色剂由MoO₃、Cr₂O₃、TiO₂组成，其比例为MoO₃：Cr₂O₃：TiO₂=25%-31.2%：50%-62.5%：6.3%-25%。

6.根据权利要求1所述的一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷，其特征在于：所述陶瓷基层的密化烧结温度为1220°C-1280°C，烧结气氛为氮氢混合气。

7.一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷制备方法，其特征在于：构成所述中温陶瓷的共烧低阻导带材料制备方法包括以下步骤：

步骤一、将中温陶瓷材料，包含玻璃粉、着色剂、氧化铝粉料等，与塑化剂、粘结剂、溶剂等，通过湿法球磨混料均匀，得到中温陶瓷浆料，采用流延工艺，获得单张生瓷坯片；

步骤二、将钨粉，铜粉，中温瓷粉与塑化剂、粘结剂、溶剂等按比例搅拌混合均匀，混合后采用三辊研磨机轧制，制备为基层钨铜金属化浆料；将钨粉，中温瓷粉与塑化剂、粘结剂、溶剂等按比例搅拌混合均匀，混合后采用三辊研磨机轧制，制备为表层中温瓷共烧钨浆料；

步骤三、使用丝网印刷机将基层钨铜金属化浆料印刷在生瓷片上；待其干燥后，使用丝网印刷机套印表层中温瓷共烧钨浆料，使表层中温瓷共烧钨浆料完全覆盖在基层钨铜金属化浆料上方；

步骤四、采用多层陶瓷层压工艺成型，并在高温试验炉中烧结成瓷，气氛为氮氢混合气体。