[发明专利]异质芯片封装方法在审

专利信息
申请号: 202211555058.3 申请日: 2022-12-06
公开(公告)号: CN115719730A 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 李骏;戴颖;石磊;夏鑫 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 李明;赵吉阳
地址: 226004 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种异质芯片封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:

提供基板、多个硅片和多个异质芯片;

分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板;其中,至少一个所述硅中介板与其它所述硅中介板不同;

分别将所述多个硅中介板进行切割,得到多个硅中介块;

从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块,并将所述多个目标硅中介块固定在所述基板上;

分别将所述多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。

2.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料,形成所述导电连接结构,以形成所述硅中介板。

3.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料,形成所述导电连接结构;

减薄所述硅片的第二表面直至露出所述多组盲孔形成硅通孔,以形成所述硅中介板。

4.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料;

在所述硅片的第一表面形成重布线层,形成所述导电连接结构,以形成所述硅中介板。

5.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料;

在所述硅片的第一表面设置形成重布线层,形成所述导电连接结构;

减薄所述硅片的第二表面直至露出所述多组盲孔形成硅通孔,以形成所述硅中介板。

6.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料;

在所述硅片的第一表面形成重布线层;

在所述重布线层上设置焊球,形成所述导电连接结构,以形成所述硅中介板。

7.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述硅片包括沿其厚度方向的第一表面和第二表面;

所述分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构,以形成多个硅中介板,包括:

在至少一个硅片的第一表面形成多组盲孔;

在所述多组盲孔内填充导电材料;

在所述硅片的第一表面设置重布线层;

在所述重布线层上形成焊球,形成所述导电连接结构;

减薄所述硅片的第二表面直至露出所述导电连接结构形成硅通孔,得到所述硅中介板。

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