[发明专利]同步整流控制电路、方法和反激式电源变换电路系统在审
申请号: | 202211556263.1 | 申请日: | 2022-12-06 |
公开(公告)号: | CN116054580A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 文鹏;张波 | 申请(专利权)人: | 深圳市必易微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M7/217;H02M1/08 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 袁武 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同步 整流 控制电路 方法 反激式 电源 变换 电路 系统 | ||
1.一种同步整流控制电路,当检测到满足第一条件时,导通同步整流器件并进入可调控制区间,在可调控制区间内,同步整流器件不允许被关断或仅当满足第二条件时被关断,其中可调控制区间的时长随同步整流器件的续流时间长度而改变,若在可调控制区间内同步整流器件不被关断的,当可调控制区间结束后,当满足第三条件时,关断同步整流器件,其中第一条件、第二条件和第三条件互不相同。
2.如权利要求1所述的控制电路,其中同步整流器件包括并联的二极管和开关器件,其中第一条件包括当检测到二极管中流过电流。
3.如权利要求1所述的控制电路,其中同步整流器件包括MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),MOSFET具有体二极管,第一条件包括MOSFET的漏源电压下降至小于第一参考电压,第二条件包括MOSFET的漏源电压上升至大于第二参考电压,第三条件包括MOSFET的漏源电压上升至大于第三参考电压。
4.如权利要求3所述的控制电路,其中第二参考电压大于第三参考电压。
5.如权利要求1所述的控制电路,用于单端反激PFC变换器中,其中当同步整流器件的续流时间小于一预设阈值时,禁止同步整流器件在一时间段内导通。
6.如权利要求1所述的控制电路,其中可调控制区间的时长介于最小预设值和最大预设值之间。
7.一种用于同步整流控制电路,接收表征同步整流器件的两端电压差的采样信号,其特征在于,所述控制电路包括:
导通检测电路,将采样信号与导通参考信号比较,提供导通控制信号用于控制同步整流器件的导通;
可调控制区间控制电路,基于同步整流器件一个开关周期内的续流时间产生可调控制区间信号,调整可调控制区间的时长;以及
关断检测电路,耦接可调控制区间控制电路,关断检测电路将采样信号与关断参考信号比较,提供关断控制信号用于控制同步整流器件的关断,其中当可调控制区间信号为有效值时,关断控制信号被屏蔽用于维持同步整流器件导通或将关断参考信号阶跃至第二参考信号。
8.如权利要求7所述的控制电路,其中同步整流器件包括MOSFET管,MOSFET管具有体二极管,采样信号表征MOSFET管的漏源电压,第二参考信号大于关断参考信号。
9.如权利要求7所述的控制电路,当同步整流器件的续流时间增大时,可调控制区间的时长增大,当同步整流器件的续流时间减小时,可调控制区间的时长减小。
10.如权利要求7所述的控制电路,用于单端反激PFC变换器中,其中当同步整流器件的续流时间小于一预设阈值时,禁止同步整流器件在一时间段内导通。
11.一种同步整流控制电路,当检测到同步整流器件的漏源电压下降至小于第一参考电压时,导通同步整流器件,进入可调控制区间,在可调控制区间内,同步整流器件不允许被关断或仅当漏源电压上升至大于第二参考电压时被关断,若在可调整控制区间内同步整流器件不被关断的,当可调控制时间结束后,当漏源电压上升至大于第三参考电压时,关断同步整流器件,其中第二参考电压大于第三参考电压,可调控制区间的长度随续流时间长度而改变。
12.一种反激式电源变换电路系统,包括原边开关、变压器和如权利要求1-11任一项所述的同步整流器件和同步整流控制电路。
13.一种同步整流控制方法,包括:
当检测到满足第一条件时,导通同步整流器件并进入可调控制区间;
控制可调控制区间的时长随同步整流器件一个开关周期内的续流时间长度而改变,在可调控制区间内,同步整流器件不允许被关断或仅当满足第二条件时被关断;以及
若在可调控制区间内同步整流器件不被关断的,当可调控制区间结束后,当满足第三条件时,关断同步整流器件,其中第一条件、第二条件和第三条件互不相同。
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