[发明专利]让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构在审

专利信息
申请号: 202211560760.9 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN116232310A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 夏小辉;谢婷婷;张旭;周德杭;倪文海;徐文华 申请(专利权)人: 上海迦美信芯通讯技术有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/003
代理公司: 苏州衡创知识产权代理事务所(普通合伙) 32329 代理人: 蔡宝
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海)*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 输入 lna 端口 性能 均衡 电感 连接 结构
【权利要求书】:

1.一种让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,包括:

至少两条并联电路,所述并联电路包括源极电感、至少一条输入匹配电路及至少一个第一晶体管,每一所述输入匹配电路与对应的一所述第一晶体管的栅极连接,至少一个所述第一晶体管的源极与所述源极电感的一端连接,所述源极电感的另一端接地;

第二晶体管,至少两条所述并联电路中的所述第一晶体管的漏极同时与所述第二晶体管的源极连接,所述第二晶体管的栅极与电源连接;

电源电路,包括漏极电感,所述漏极电感的一端与所述第二晶体管的漏极连接,另一端与电源连接;及

输出匹配电路,所述输出匹配电路同时与所述漏极电感的一端以及所述第二晶体管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,所述源极电感连接结构包括两条所述并联电路,两条所述并联电路沿第一方向排布,两条所述并联电路中的多个所述第一晶体管沿所述第一方向排布,且两个所述源极电感与两条所述并联电路中位于边缘且相背离的两个所述第一晶体管连接,所述第二晶体管的源极连接于两条所述并联电路的中间位置。

3.根据权利要求2所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,两条所述并联电路中的所述源极电感在所述第一方向上对称分布。

4.根据权利要求3所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,两条所述并联电路包括第一并联电路和第二并联电路,所述第一并联电路和所述第二并联电路沿第一子方向依次排布,每一所述源极电感均具有起始端,且所述第一并联电路和所述第二并联电路中所述源极电感的起始端与所述第一晶体管的源极连接;

所述第一并联电路中的所述源极电感和所述第二并联电路中的所述源极电感在所述第一方向上成轴对称,且所述第一并联电路中所述源极电感的起始端沿与所述第一子方向相反的第二子方向延伸,所述第二并联电路中所述源极电感的起始端沿所述第一子方向延伸。

5.根据权利要求3所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,两条所述并联电路中的所述源极电感在所述第一方向上成中心对称。

6.根据权利要求1所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,所述输入匹配电路包括第一电容及电阻,所述第一电容同时与所述第一晶体管的栅极以及所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端与电源连接。

7.根据权利要求1所述的让多输入LNA各端口性能均衡的源极电感连接结构,其特征在于,所述输出匹配电路包括第二电容,所述第二电容同时与所述漏极电感的一端以及所述第二晶体管的漏极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海迦美信芯通讯技术有限公司,未经上海迦美信芯通讯技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211560760.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top