[发明专利]一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路

权利要求书

1.一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述电路包括：

1.2V带隙基准电路、电压基准驱动电路、低通滤波采样保持电路、误差放大器、低通滤波纹波反馈电路、瞬态响应增强电路Ⅰ、瞬态响应增强电路Ⅱ、功率管驱动电路、功率管MP1和输出端等效负载；

所述1.2V带隙基准电路用于产生高PSRR基准电压；所述电压基准驱动电路用于将带隙基准电压进行升压，并提高基准源电流驱动能力；所述误差放大器用于构建LDO主环路，通过环路负反馈使LDO输出端稳定；所述低通滤波纹波反馈电路用于将高频段电源纹波反馈至功率管驱动电路，以增强环路高频段PSRR；所述瞬态响应增强电路Ⅰ，直接作用于LDO输出端，以增强环路对于输出端过冲过冲的瞬态响应；所述瞬态响应增强电路Ⅱ，产生能够在输出端电压过冲时增强的自适应电流基准，以使误差放大器不同负载电流情况下拥有良好的压摆率，从而提高瞬态响应；所述的功率管驱动电路用于增强驱动功率管能力，并将功率管栅极的寄生电容产生的极点推至高频以保证环路稳定性；所述功率管MP1用于提供LDO的电流驱动能力；所述输出端等效负载为模拟LDO外部容性负载与阻性负载的等效示意器件。

2.根据权利要求1所述的一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述1.2V带隙基准电路与电压基准驱动电路输入端连接；所述电压基准驱动电路输出端与低通滤波采样保持电路第一输入端连接；所述低通采样保持电路输出端和瞬态响应增强电路Ⅰ第一输入端与误差放大器同向输入端相连，低通采样保持电路第三输入端与系统时钟CK相连；所述误差放大器反相输入端、瞬态响应增强电路Ⅰ输入输出端、瞬态响应增强电路Ⅱ第一输入端、功率管MP1漏极和输出端等效负载一端与LDO输出OUT相连，误差放大器内部电流镜MOS管与瞬态响应增强电路Ⅱ第二输出端Vbp1相连，误差放大器输出端与功率管驱动电路中M2栅极、瞬态响应增强电路Ⅰ第二输入端和瞬态响应增强电路Ⅱ第二输入端相连；所述低通滤波纹波反馈电路输入端、瞬态响应增强电路Ⅰ第四输入端和低通滤波采样保持电路第二输入端与瞬态响应增强电路Ⅱ第一输出端Vbn1相连，输出端与功率管驱动电路中M1衬底和瞬态响应增强电路Ⅰ第一输入端相连；所述功率管驱动电路输出端与功率管MP1栅极相连；所述功率管MP1源极与系统电源VDD相连；所述输出端等效负载一端与系统地电源相连。

3.根据权利要求2所述的一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于所述的功率管驱动电路，包括不少于2个晶体管M1和M2和两个电阻R3和R4组成，其中，

M2栅极与误差放大器输出端EAOUT相连；M2源极与系统电源地相连；M2漏极、M1漏极与源极、R4一端与功率管MP1栅极相连；M1衬底与低通滤波纹波反馈电路输出端LPF OUT相连；M1源极和R3一端相连；R3一端、R4一端与系统电源VDD相连。

4.根据权利要求2所述的一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于所述的低通滤波采样保持电路，包括不少于5个晶体管M9-M12、1个电容C1和一个反相器INV1组成，其中，

M9源极和M8源极相连，为低通滤波采样保持电路第一输入端Buffer OUT；M9栅极、M9漏极、M8栅极与M10漏极相连；M10栅极为通滤波采样保持电路第二输入端Vbn1；M10源极与系统电源地相连；M8漏极、M11漏极与M12漏极相连；M11栅极与INV1输出端相连；INV1输入端与M12栅极相连，为通滤波采样保持电路第三输入端CK；M11源极、M12源极和C1一端相连，为输出端SH OUT；C1另一端与系统电源地相连。晶体管M8和M9尺寸一致或M8尺寸小于M9；晶体管M11尺寸大于M12；电容C1容值不低于3pF。

5.根据权利要求2所述的一种高PSRR低输出噪声和快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于所述的低通滤波纹波反馈电路，包括1个作为电流镜的晶体管M13、1个电容C2和一个电阻R9组成，其中，

M13栅极为输入端Vbn1，M13源极和C2一端与系统电源地相连；M13漏极、R9一端与C2一端相连，为输出端LPF OUT；R9一端与系统电源VDD相连。