[发明专利]一种基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法

权利要求书

1.一种基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1、在清洁的玻璃片、硅片或高分子材料基片上沉积导电膜层作为底电极；所述高分子材料基片包括PET基片和PPMA基片；

步骤2、将步骤1得到的镀有底电极的基片表面旋涂勃姆石薄膜作为功能介质层；

步骤3、将步骤2得到的镀有底电极和功能介质层的基片表面沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极、勃姆石薄膜功能介质层和顶电极的三明治结构的新型透明伤害感受器。

2.根据权利要求1所述的基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述导电膜层的材料包括：氧化物导电陶瓷、惰性金属或活性金属；所述氧化物导电陶瓷包括ITO和FTO；所述惰性金属包括Au和Pt；所述活性金属包括Ag、Al和Cu。

3.根据权利要求1或2所述的基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，步骤1中，采用磁控溅射或真空蒸镀的方法沉积底电极，所述底电极的厚度在≥50nm。

4.根据权利要求1所述的基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，步骤2包括：

步骤2.1、采用溶胶-凝胶法制备成的勃姆石溶胶；

步骤2.2、采用旋涂的方法将所述勃姆石溶胶旋涂在所述底电极上，形成勃姆石薄膜；所述勃姆石薄膜的厚度为5nm-2000nm，所述勃姆石薄膜中纳米颗粒的尺寸范围为15nm-200nm之间。

5.根据权利要求1所述的基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述金属薄膜的材料包括惰性金属电极或活性金属电极，所述惰性金属电极包括Pt和Au，所述活性金属电极包括Ag、Al和Cu。

6.根据权利要求1或5所述的基于勃姆石的新型透明伤害感受器的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用磁控溅射或真空蒸镀的方法沉积顶电极，所述顶电极的厚度在≥50nm。

7.一种如权利要求1所述的新型透明伤害感受器，其特征在于，包括底电极、底电极表面的功能介质层和顶电极；所述功能介质层为勃姆石薄膜。