[发明专利]半导体器件模型的建模方法及其建模系统

权利要求书

1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

在不同测量条件下分别对半导体器件中的每个晶体管进行电性测试，以得到各所述晶体管的电性参数；

对各所述晶体管的电性参数的曲线进行拟合，以得到各所述晶体管的模型参数；

对所述测量条件、各所述晶体管的电性参数和各所述晶体管的模型参数进行描述，以得到各所述晶体管的晶体管模型；

基于各所述晶体管的所述晶体管模型组建半导体器件模型。

2.如权利要求1所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述半导体器件模型的建模方法还包括：

在不同测量条件下对所述半导体器件进行电性测量，以得到所述半导体器件的电性参数；

根据所述半导体器件模型，对所述半导体器件的电性参数进行仿真，以获取电性参数仿真曲线；

将所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数进行比较，若所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数匹配，则所述半导体器件模型为目标模型。

3.如权利要求1所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述半导体器件模型的建模方法还包括：

若所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数不匹配，则重复自对各所述晶体管的电性参数的曲线进行拟合至将所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数进行比较的步骤若干次，直至所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数匹配。

4.如权利要求1所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述对各所述晶体管的电性参数的曲线进行拟合，以得到各所述晶体管的模型参数包括：对各所述晶体管的电性参数的曲线进行多项式拟合，以得到各所述晶体管的模型参数。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，所述测量条件包括温度和电压。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，电性参数包括电流和电压。

7.如权利要求6所述的半导体器件模型的建模方法，其特征在于，电性参数包括静态噪声容限、读电流、写容限和静态漏电流。

8.一种半导体器件模型的建模系统，其特征在于，包括：

测量模块，用于在不同测量条件下分别对半导体器件中的每个晶体管进行电性测试，以得到各所述晶体管的电性参数；

拟合模块，与所述测量模块相连接，用于对各所述晶体管的电性参数的曲线进行拟合，以得到各所述晶体管的模型参数；

第一建模模块，与所述测量模块和所述拟合模块相连接，用于对所述测量条件、各所述晶体管的电性参数和各所述晶体管的模型参数进行描述，以得到各所述晶体管的晶体管模型；

第二建模模块，与所述第一建模模块相连接，用于基于各所述晶体管的所述晶体管模型组建半导体器件模型。

9.如权利要求8所述的半导体器件模型的建模系统，其特征在于，所述测量模块还用于在不同测量条件下对所述半导体器件进行电性测量，以得到所述半导体器件的电性参数；所述半导体器件模型的建模系统还包括：

仿真模块，用于根据所述半导体器件模型，对所述半导体器件的电性参数进行仿真，以获取电性参数仿真曲线；

模型输出模块，与所述仿真模块相连接，用于将所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数进行比较，并在所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数匹配时，将所述半导体器件模型作为目标模型输出。

10.如权利要求9所述的半导体器件模型的建模系统，其特征在于，所述半导体器件模型的建模系统还包括：

反馈模块，与所述模型输出模块和所述拟合模块相连接，用于在所述电性参数仿真曲线与所述半导体器件的电性参数不匹配时，将反馈信号反馈至所述拟合模块。