[发明专利]横向功率半导体器件

权利要求书

1.一种横向功率半导体器件，包括：

-源极焊盘区域，所述源极焊盘区域形成在所述器件的金属层中；

-漏极焊盘区域，所述漏极焊盘区域与所述源极焊盘间隔开并形成在所述器件的所述金属层中；

-多个导电指状物，所述多个导电指状物形成在所述器件的另一金属层中，并且包括：

-多个平行的源极指状物，所述多个平行的源极指状物联接到所述源极焊盘区域并从所述源极焊盘区域朝向所述漏极焊盘区域延伸且延伸到所述漏极焊盘区域下方，以及

-多个平行的漏极指状物，所述多个平行的漏极指状物与所述多个源极指状物隔离，并且联接到所述漏极焊盘区域并从所述漏极焊盘区域朝向所述源极焊盘区域延伸且延伸到所述源极焊盘区域下方，其中所述漏极指状物叉指式布置在所述源极指状物之间；并且其中所述漏极焊盘区域包括多个漏极焊盘，所述多个漏极指状物中的每一个对应一个漏极焊盘，其中所述多个漏极焊盘通过与延伸到所述漏极焊盘区域下方的所述源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的横向功率半导体器件，所述半导体器件还包括覆盖每个所述漏极焊盘的周缘的绝缘体层。

3.根据权利要求2所述的横向功率半导体器件，所述半导体器件还包括尺寸与所述漏极焊盘相对应的接触焊盘，并且其中每个所述接触焊盘尤其覆盖所述漏极焊盘的被所述漏极焊盘的周缘上的绝缘体层所包围的区域。

4.根据前述权利要求中任一项所述的横向功率半导体器件，其中，所述半导体器件是高电子迁移率晶体管HEMT。

5.根据前述权利要求中任一项所述的横向功率半导体器件，还包括：

III-V族层，所述III-V族层包括半导体电路，所述III-V族层尤其是GaN层。

6.根据权利要求5所述的横向功率半导体器件，其中，所述多个导电指状物由第二导电层形成，所述另一导电层布置在所述III-V族层的顶部，并被所述第二导电层和所述III-V族层之间的绝缘体层隔离。

7.根据权利要求6所述的横向功率半导体器件，其中，所述源极焊盘区域和所述漏极焊盘区域由第三导电层形成，所述第三导电层布置在所述第二导电层的顶部，并且被所述第三导电层和所述第二导电层之间的绝缘体层隔离。

8.根据权利要求7所述的横向功率半导体器件，其中，每个所述漏极焊盘还包括布置在该漏极焊盘的顶部的漏极接触焊盘，并且其中所述漏极焊盘和所述漏极接触焊盘通过所述漏极焊盘和所述漏极接触焊盘之间的绝缘体层而隔离，其中所述漏极接触焊盘优选地由钯覆盖的金属层构成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的横向功率半导体器件，其中，所述源极焊盘区域和所述漏极焊盘通过多个对应的通孔联接到所述多个导电指状物。

10.根据前述权利要求中任一项所述的横向功率半导体器件，其中，所述多个平行的漏极指状物中的每一个通过公共漏极汇流条互连，其中，所述公共漏极汇流条优选地形成在所述金属层中。

11.根据前述权利要求中任一项所述的横向功率半导体器件，其中，所述源极焊盘区域和所述漏极焊盘区域中的一个或多个被布置为用于所述半导体器件的夹片接合封装。

12.一种共源共栅的半导体封装，包括硅MOSFET，所述硅MOSFET布置在根据前述权利要求中任一项的GaN HEMT的顶部。

13.一种制造横向功率半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

-提供半导体基底，并在所述半导体基底上形成半导体器件；

-形成第一金属层(M1)；

-在所述第一金属层上形成绝缘体层；

-在所述绝缘体层上形成第二金属层(M2)，所述第二金属层包括多个导电指状物，所述导电指状物包括多个平行的源极指状物和与所述源极指状物隔离的平行的漏极指状物，其中所述漏极指状物叉指式布置在所述源极指状物之间；

-在所述第二金属层上形成绝缘体层；

-穿过所述绝缘体层，在所述第二金属层(M2)和第三金属层(M3)之间形成多个通孔；

-在所述绝缘体层上形成所述金属层(M3)，所述第三金属层包括源极焊盘区域和漏极焊盘区域；

-并且其中所述漏极焊盘区域包括多个漏极焊盘，所述多个漏极指状物中的每一个对应一个漏极焊盘，其中所述多个漏极焊盘通过与延伸到所述漏极焊盘区域下方的所述源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。