[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202211568496.3 | 申请日: | 2022-12-06 |
公开(公告)号: | CN115954364A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 童晨光;陈敏;王梦玲;李荣荣 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡庆 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开一种阵列基板、显示面板及显示装置。其中,阵列基板的每一像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括第一栅极、设于第一栅极一侧的第一有源层及间隔设于第一有源层背离第一栅极的一侧的第一源极和第一漏极;第二薄膜晶体管包括第二栅极,设于第二栅极一侧的第二有源层及间隔设于第二有源层背离第二栅极的一侧的第二源极和第二漏极;第一源极与第二源极均连接于像素电极;第一有源层的宽度方向上的尺寸与第一源极至第一漏极的间距的比值大于第二有源层的宽度方向上的尺寸与第二源极至第二漏极的间距的比值。本发明技术方案能适应不同的场景,且能降低能耗。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、应用该阵列基板的显示面板及应用该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示装置的普及程度越来越高,用户对显示装置的要求也越来越高。高刷新率的显示装置也就在市场需求下被生产出来。但是传统的显示装置通常只具备高刷新率或者低刷新率,因此难以根据不同的场景选择合适的刷新率。例如对于一些不需要高刷的情况下,比如:看新闻、看小说,我们需要选择低刷新率模式,降低能耗,如果显示装置仅具有高刷新率模式,则在该情况下可能会增加耗电量。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种阵列基板,旨在改善传统的显示装置无法根据不同的场景选择合适的刷新率模式的问题。
为实现上述目的,本发明提出的阵列基板,包括衬底,所述衬底上设有多个阵列排布的像素单元,每一所述像素单元包括像素电极、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一漏极以及第一源极,所述第一栅极设于所述衬底的一侧,所述第一有源层设于所述第一栅极背离所述衬底的一侧,所述第一源极和所述第一漏极间隔设于所述第一有源层背离所述第一栅极的一侧;所述第一源极与所述第一漏极之间的间距为L1;定义垂直于所述第一源极至所述第一漏极之间的连线、且平行于所述衬底的方向为宽度方向,所述第一有源层的宽度方向上的尺寸为W1;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二漏极以及第二源极,所述第二栅极设于所述衬底的一侧,所述第二有源层设于所述第二栅极背离所述衬底的一侧,所述第二源极和所述第二漏极间隔设于所述第二有源层背离所述第二栅极的一侧;且所述第一源极与所述第二源极并联连接于所述像素电极;所述第二源极与所述第二漏极之间的间距为L2,定义垂直于所述第二源极至所述第二漏极之间的连线、且平行于所述衬底的方向为宽度方向,所述第二有源层的宽度方向上的尺寸为W2;W1/L1﹥W2/L2。
在一实施例中,所述阵列基板还包括数据线、第一扫描线及第二扫描线,所述第一扫描线和所述第二扫描线均与所述数据线垂直;同一所述像素单元中的所述第一漏极和所述第二漏极均连接于同一条所述数据线;同一所述像素单元中的所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置并分别连接所述第一扫描线和所述第二扫描线。
在一实施例中,所述第一栅极和所述第二栅极均设于所述像素电极的同一侧。
在一实施例中,所述第一栅极和所述第二栅极沿所述数据线的延伸方向间隔设置。
在一实施例中,所述第一有源层与所述第二有源层错位设置,且所述第一源极和所述第二源极分别设于所述像素电极的两侧。
在一实施例中,所述第一漏极至所述第一源极的方向与所述第二漏极至所述第二源极的方向相同。
在一实施例中,所述第一有源层与所述第二有源层的材质相同。
在一实施例中,所述第一栅极与所述第一有源层之间设有第一绝缘层;所述第二栅极与所述第二有源层之间设有第二绝缘层。
本发明还提出一种显示面板,包括对置基板、液晶以及上述的阵列基板,所述对置基板与所述阵列基板相对设置,所述液晶设于所述对置基板与所述阵列基板之间。
本发明还提出一种显示装置,其特征在于,包括背光模组和上述的显示面板,所述背光模组设于所述阵列基板背离所述对置基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的