[发明专利]一种低密度多孔铜箔制备方法

权利要求书

1.一种低密度多孔铜箔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1将纯钛板加工成T型钛板（1），将其表面打磨抛光至镜面；

S2利用激光设备在T型钛板（1）打磨抛光的一面进行制孔，孔的深度为10-100μm，孔的直径和间距根据空隙率来确定；

S3用酒精将T型钛板（1）表面的脏污擦拭干净，并使用纯水将T型钛板（1）表面和孔冲洗干净；

S4将液态、不导电的环氧树脂类有机材料涂覆在孔内部制作成屏蔽点（2）；

S5根据需要采用加热方式对屏蔽材料进行固化，提高屏蔽材料的沾附力；

S6固化完成再次对T型钛板（1）表面进行抛刷，将其表面残留的屏蔽材料以及划痕抛磨干净；

S7配置硫酸铜电镀液并倒入能够循环流动和恒温的电解槽中；

S8将表面有屏蔽点（2）的T型钛板（1）放入电解槽中做阴极使用进行电镀生箔，每次电镀前添加适量光亮剂、走位剂和整平剂等添加剂，保证铜箔表面光亮和控制铜箔翘曲；

S9电镀结束后，将铜箔从T型钛板（1）表面剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S1中T型钛板（1）的厚度为3-5mm，抛磨后的表面粗糙度Rz＜1μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S2中孔的深度为10-200μm，孔的直径为50-200μm，相邻孔的间距为50-200μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S3中制孔后的T型钛板（1）表面脏污采用HNO₃与HF的混合酸进行清洗。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S4中将硅溶胶类无机材料涂覆在孔内部制作成屏蔽点（2）。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S5中对屏蔽材料进行加热固化，加热温度为30-200℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S6中抛刷的转速为3000-5000r/min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S7中配置的硫酸铜电镀液中铜离子浓度为80-90g/L，硫酸浓度为110-120 g/L，电解液流量为0.5-0.6m³/h，电解液温度为60±2℃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S8中光亮剂、整平剂、走位剂在电解液中浓度分别为：光亮剂0.5-2ppm、整平剂0.3-1.5ppm、走位剂5.0-7.0ppm。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S8中电镀时电流为50-100A,电镀时间为70-120s，铜箔厚度为6-12μm，铜箔光泽度为150-300Gs，铜箔翘曲为0-5mm。