[发明专利]一种MXene与NiO2

权利要求书

1.一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将MXene样品加入去离子水中，在水浴中超声直到均匀悬浮，在剧烈搅拌下，将Ni(NO₃)₂·6H₂O水溶液缓慢引入MXene悬浮液中，然后滴加NaOH水溶液，一段时间后，离心洗涤至中性；利用超声技术将沥青样沉积物收集并重新分散到去离子水中，获得墨状MXene-NiO₂水悬浮液，并将其储存在冰箱中；

S2、利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，配置APTES粘结剂，在已沉积有底电极的目标衬底上表面首先旋涂一层APTES粘结剂；

S3、将S1中的MXene-NiO₂水悬浮液旋转涂覆在目标衬底上，旋涂1～5层；将旋涂后的MXene-NiO₂薄膜在高真空炉中退火；

S4、沉积金属顶电极。

2.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S1中，水浴中超声时间为0.5～5h，Ni(NO₃)₂·6H₂O的体积为1～10mL、浓度为1～10mg/mL，MXene悬浮液的体积为10～100mL，NaOH水溶液的体积为1～10mL、浓度为2～20mg/mL。

3.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，等离子氧设备的功率为30～100W、氧气流量为20～80sccm，目标衬底进行表面清洁处理的时间为1～5min。

4.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，目标衬底可采用ITO/FTO-PEN衬底、ITO/FTO-PET衬底、ITO/FTO-玻璃衬底或ITO/FTO-SiO₂衬底。

5.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述APTES粘结剂采用APTES:H₂O或APTES:异丙酮，配比为1:5～1:50。

6.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，MXene-NiO₂水悬浮液旋转涂覆的转速为500～5000rpm，时间为10～100秒。

7.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，高真空炉的温度为100～500℃，退火时长为0.5～5h。

8.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S4中，沉积的金属顶电极为Ag、Ti、Pt、Au、W、Al和Cu中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO₂复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S4中，器件表面上金属顶电极的沉积，采用阴影掩膜加以旋涂、电子束蒸发沉积或磁控溅射技术进行。