[发明专利]一种可增强工频信号稳定性的电路在审
申请号: | 202211579196.5 | 申请日: | 2022-12-08 |
公开(公告)号: | CN115825590A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 曾文慧;范荣全;胥威汀;李默林;李宇;张文涛;任志超;罗宁;刘晓宇;倪江;陈晨;杜思颖;杨丹;易力 | 申请(专利权)人: | 国网四川省电力公司经济技术研究院 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李朝虎 |
地址: | 610041 四川省成都市中国(四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 信号 稳定性 电路 | ||
1.一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,包括
信号前置处理单元,用于提高信号接收端的输入阻抗,以及对削弱的信号峰值进行补偿;
整流倍压处理单元,用于对所述信号前置处理单元输出的信号进行交直流转换和倍压升压,输出整流倍压信号;
信号放大处理单元,用于对所述整流倍压信号进行放大,输出高电平。
2.根据权利要求1所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述信号前置处理单元包括场效应管FET和电阻R2;所述场效应管FET的栅极接入工频信号,所述场效应管FET的源极连接数字信号接地端,所述场效应管FET的漏极连接所述整流倍压处理单元的输入端;所述电阻R2的一端连接所述场效应管FET的漏极,所述电阻R2的另一端连接所述数字信号接地端。
3.根据权利要求2所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述整流倍压处理单元包括二极管D1、二极管D2、电容C1和电容C2;所述二极管D1的输入端连接所述场效应管FET的漏极,所述二极管D1的输出端连接所述电容C1的一端,所述电容C1的另一端连接所述场效应管FET的漏极;所述电容C2的一端连接所述场效应管FET的漏极,所述电容C2的另一端连接所述二极管D2的输入端,所述二极管D2的输出端连接所述场效应管的漏极;所述二极管D1的输出端连接所述信号放大处理单元的输入端。
4.根据权利要求3所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,信号放大处理单元包括集成运算放大器IC、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8和电位器W1;所述电阻R5与所述电阻R6串联后的一端连接所述场效应管FET的漏极和所述集成运算放大器IC的引脚7,所述电阻R5与所述电阻R6串联后的另一端连接所述二极管D2的输入端和所述集成运算放大器IC的引脚4,所述二极管D1的输出端连接在所述电阻R5和所述电阻R6之间;所述电阻R7与所述电位器W1串联后的一端连接所述场效应管FET的漏极和所述集成运算放大器IC的引脚7,所述电阻R7与所述电位器W1串联后的另一端连接所述二极管D2的输入端和所述集成运算放大器IC的引脚4;所述电阻R8的一端连接在所述电阻R5和所述电阻R6之间,所述电阻R8的另一端连接所述集成运算放大器IC的负输入端;所述集成运算放大器IC的正输入端连接在所述电阻R7和所述电位器W1之间,所述集成运算放大器W1的输出端输出高电平。
5.根据权利要求4所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述信号放大处理单元还包括电阻R1和电阻R3;所述电阻R1的一端连接所述场效应管FET的漏极,所述电阻R1的另一端连接所述集成运算放大器IC的引脚7;所述电阻R3的一端连接在所述电阻R2和所述数字信号接地端之间。
6.根据权利要求4所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述信号放大处理单元还包括点解电容C3和电阻R9;所述点解电容C3与所述电阻R9串联后的一端连接在所述电阻R8和所述集成运算放大器IC的负输入端之间,所述点解电容C3与所述电阻R9串联后的一端连接所述集成运算放大器IC的输出端。
7.根据权利要求6所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述信号放大处理单元还包括电阻R4,所述电阻R4连接在所述场效应管FET的源极和所述数字信号接地端之间。
8.根据权利要求6或7所述的一种可增强工频信号稳定性的电路,其特征在于,所述二极管D1和所述二极管D2为检波二极管1N60;所述电容C1为涤纶电容或瓷片电容,所述电容C2为涤纶电容或瓷片电容;所述点解电容C3的大小为3uf~10uf。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网四川省电力公司经济技术研究院,未经国网四川省电力公司经济技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211579196.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。