[发明专利]存储颗粒开卡工具调试方法、设备和可读存储介质在审

专利信息
申请号: 202211580433.X 申请日: 2022-12-09
公开(公告)号: CN116185747A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 林寅;吴大畏;李晓强 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F11/263 分类号: G06F11/263;G06F11/22;G06F11/36;G06F8/61;G11C29/08
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 赵爱蓉
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储 颗粒 工具 调试 方法 设备 可读 介质
【说明书】:

本申请公开了一种存储颗粒开卡工具调试方法、存储颗粒开卡工具调试设备和计算机可读存储介质,该方法包括:在虚拟主机接收到开卡工具的调试指令时,确定所述调试指令对应的NAND参数;基于所述NAND参数生成虚拟存储设备,并确定错误存储点位以及对应的错误类型;根据所述错误类型设置所述错误存储点位的待设置参数,并按照所述待设置参数更新所述虚拟存储设备;控制更新后的所述虚拟存储设备执行所述调试指令,并输出所述调试指令的执行结果。解决了相关技术中抓取到的故障日志数量不足,影响开卡工具的调试效果的技术问题,实现了覆盖尽可能多的业务场景用于调试量产的逻辑流程及异常处理的技术效果。

技术领域

本申请涉及存储设备领域,尤其涉及一种存储颗粒开卡工具调试方法、存储颗粒开卡工具调试设备和计算机可读存储介质。

背景技术

存储器包括MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)和NAND颗粒。MCU中保存有控制程序,用于控制存储器完成相应的存储动作。NAND广泛应用在各种存储卡,U盘,SSD,eMMC等大容量设备中。

在相关技术中,存储器生产厂商从闪存颗粒生产厂商处购买NAND颗粒,再进一步生产出存储器。生产出成品后再针对存储器的NAND颗粒,调试出对应的开卡工具,利用开卡工具将FTL(Flash Translation Layer,闪存转换层)烧录至NAND颗粒中。

但是存储器生产厂商在开卡工具的调试过程中获取到的NAND颗粒数量有限,导致抓取到的故障日志数量不足,影响开卡工具的调试效果。

发明内容

本申请实施例通过提供一种存储颗粒开卡工具调试方法、存储颗粒开卡工具调试设备和计算机可读存储介质,解决了相关技术中存储器生产厂商在开卡工具的调试过程中获取到的NAND颗粒数量有限,导致抓取到的bug日志数量不足,影响开卡工具的调试效果的技术问题,实现了覆盖尽可能多的业务场景用于调试量产的逻辑流程及异常处理的技术效果。

本申请实施例提供了一种存储颗粒开卡工具调试方法,所述存储颗粒开卡工具调试方法包括:

在虚拟主机接收到开卡工具的调试指令时,确定所述调试指令对应的NAND参数;

基于所述NAND参数生成虚拟存储设备,并确定错误存储点位以及对应的错误类型;

根据所述错误类型设置所述错误存储点位的待设置参数,并按照所述待设置参数更新所述虚拟存储设备;

控制更新后的所述虚拟存储设备执行所述调试指令,并输出所述调试指令的执行结果。

可选的,所述在虚拟主机接收到开卡工具的调试指令时,确定所述调试指令对应的NAND参数的步骤包括:

在所述虚拟主机接收到所述调试指令时,确定所述调试指令对应的存储颗粒性能文件;

确定所述存储颗粒性能文件对应的磨损函数、性能参数以及基本属性参数;

根据所述磨损函数、所述性能参数以及所述基本属性参数确定所述NAND参数。

可选的,所述基于所述NAND参数生成虚拟存储设备,并确定错误存储点位以及对应的错误类型的步骤包括:

运行预设的生成算法,基于所述NAND参数生成所述虚拟存储设备;

基于所述磨损函数确定目标存储块;

确定所述目标存储块对应的位置坐标作为所述错误存储点位;

获取故障日志中的所述错误类型,随机对所述错误存储点位分配所述错误类型。

可选的,所述根据所述错误类型设置所述错误存储点位的待设置参数,并按照所述待设置参数更新所述虚拟存储设备的步骤包括:

确定所述错误类型对应的目标参数值;

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