[发明专利]一种基于慢波平行板波导的双波段共口径天线在审
申请号: | 202211580603.4 | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN115764283A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 郑少勇;马超骏 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/06;H01Q1/36;H01Q21/30 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 平行 波导 波段 口径 天线 | ||
1.一种基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述基于慢波平行板波导的双波段共口径天线包括第一介质基板和第二介质基板,所述第一介质基板的下表面与第二介质基板的上表面相对;
所述第一介质基板的上表面设有第一金属层、第一金属贴片和第二金属贴片,所述第一金属层沿着所述第一介质基板的长度方向延伸,所述第一金属贴片和所述第二金属贴片将所述第一金属层分隔为若干部分,所述第一金属层、所述第一金属贴片和所述第二金属贴片分别设有若干个空白介质区域,各所述空白介质区域沿着所述第一金属层的延伸方向排列,所述第一金属层的一端设有第一接地共面波导,所述第一金属层的另一端设有第二接地共面波导;所述第一金属层中,在所述第一接地共面波导与最接近的所述空白介质区域之间的部分设有第一过渡结构,在所述第二接地共面波导与最接近的所述空白介质区域之间的部分设有第二过渡结构;
所述第一介质基板的下表面设有第一微带线、第二微带线以及结构阵列;所述结构阵列与所述第一金属层、所述第一金属贴片和所述第二金属贴片的一部分形成慢波平行板波导;所述第一微带线与所述结构阵列的一侧连接,所述第二微带线与所述结构阵列的另一侧连接,所述第一微带线通过通孔与所述第一接地共面波导连接,所述第二微带线通过通孔与所述第二接地共面波导连接;
所述第二介质基板的上表面设有第二金属层,所述第二金属层上设有若干个耦合缝隙,各所述耦合缝隙分别对应相应一个所述空白介质区域的投影范围;
所述第二介质基板的下表面设有微带功分器,所述微带功分器包括若干个输出端,各所述输出端分别对应相应一个所述耦合缝隙的投影范围。
2.根据权利要求1所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述基于慢波平行板波导的双波段共口径天线还包括固化片,所述固化片位于所述第一介质基板与所述第二介质基板之间,所述第一介质基板与所述第二介质基板通过所述固化片粘合在一起。
3.根据权利要求1所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述结构阵列包括若干个周期排布的方形金属贴片;
各所述方形金属贴片分别与相邻的所述方形金属贴片之间通过缝隙隔开,全部所述方形金属贴片在所述第一介质基板的上表面的投影包围全部所述空白介质区域,各所述方形金属贴片分别通过过孔与所述第一金属层、所述第一金属贴片或第二金属贴片连接;
所述结构阵列中,位于一侧的部分所述方形金属贴片与所述第一微带线连接,位于另一侧的部分所述方形金属贴片与所述第二微带线连接。
4.根据权利要求3所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述第一微带线和所述第二微带线中,从与所述结构阵列连接的一侧到另一侧的宽度逐渐收窄。
5.根据权利要求1所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于:
所述第一过渡结构和所述第二过渡结构分别包括两排屏蔽过孔序列;所述屏蔽过孔序列包括多个相互间隔一定距离的屏蔽过孔,所述屏蔽过孔的一端与所述第一金属层连接,所述屏蔽过孔的另一端与所述第二金属层连接;
所述第一过渡结构中的两排屏蔽过孔序列分设在所述第一接地共面波导两侧,所述第二过渡结构中的两排屏蔽过孔序列分设在所述第二接地共面波导两侧。
6.根据权利要求1所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述第二金属层上设有若干个调谐过孔,各所述调谐过孔分别位于相应一个所述耦合缝隙旁边,各所述调谐过孔的一端与所述第二金属层连接,另一端分别与所述微带功分器中相应一个输出端连接。
7.根据权利要求1所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述第一金属贴片和所述第二金属贴片的形状均为工字型。
8.根据权利要求7所述的基于慢波平行板波导的双波段共口径天线,其特征在于,所述第一金属贴片与所述第一金属层之间、所述第二金属贴片与所述第一金属层之间通过缝隙隔开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211580603.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种控制与检测一体化发射控制系统
- 下一篇:一种纳米级硅片划痕检测方法