[发明专利]一种纳米级硅片划痕检测方法

权利要求书

1.一种纳米级硅片划痕检测方法，其特征在于，包括如下检测步骤：

S1. 在硅片表面划痕内以化学键合的方式连接上一层荧光分子；

S2. 用荧光超分辨率显微镜对硅片表面进行成像，检测出硅片表面的划痕。

2.根据权利要求1所述的一种纳米级硅片划痕检测方法，其特征在于,步骤S1在硅片表面划痕内以化学键合的方式连接上一层荧光分子包括如下制备过程：

1) 在硅片表面生长一层均匀的二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜的厚度为2nm；

2）用浓度为0.05mol/L的N，N'-双（3-三甲氧基硅基丙基）硫脲氯仿溶液覆盖在由步骤1生成的二氧化硅薄膜上，覆盖时长为1h，使得硫脲基以化学键的方式均匀铺设、覆盖在硅片表面上，之后用氯仿清洗硅片表面3次，除去硅片表面上多余的N，N'-双（3-三甲氧基硅基丙基）硫脲；

3）用浓度为2*10^-9mol/L的经由荧光分子标记的硝酸金属-二乙烯三胺络合物水溶液覆盖在由步骤2生成的位于硅片表面的硫脲基上1min，之后用纯水清洗硅片表面3次，硝酸金属-二乙烯三胺络合物中的金属为能够与硫脲基形成配位共价键的金属；

4）在硅片表面上覆盖2个硅片表面平均粗糙度厚度的透明保护膜；

5) 对硅片表面进行抛光，去除掉3个硅片表面平均粗糙度厚度的硅材料；

6) 用荧光漂白剂覆盖经步骤5抛光后的硅片表面5min。

3.根据权利要求1所述的一种纳米级硅片划痕检测方法，其特征在于：所述步骤S2中荧光超分辨率显微镜采用受激辐射损耗(STED)显微镜。

4.根据权利要求2所述的一种纳米级硅片划痕检测方法，其特征在于：所述步骤3中硝酸金属-二乙烯三胺络合物中的金属为铜或铂。