[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括多个元胞，每个元胞包括栅极，

其中，所述半导体器件包括栅极焊点、栅极总线和多条栅线，所述栅极总线将所述栅极焊点连接至所述多条栅线，所述多条栅线将所述栅极总线连接至所述多个元胞的栅极，所述多条栅线沿第一轴线布置，

所述栅极总线包括沿第二轴线布置的多个第一部分，所述第二轴线与所述第一轴线相交，所述多个第一部分彼此间隔开以将所述半导体器件划分为多个发射区块，

所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度随着相对于所述栅极焊点的距离而变化，使得从所述栅极焊点经由所述栅极总线和所述多条栅线到达所述多个元胞的栅极的栅极信号一致。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极焊点沿所述第二轴线布置在所述多个第一部分中的一个第一部分上，所述栅极总线还包括沿所述第一轴线布置的多个第二部分，所述多个第二部分包括布置在所述半导体器件的第一侧边缘且依次相连的第一组第二部分和布置在所述半导体器件的第二侧边缘且依次相连的第二组第二部分，所述多个第一部分连接在所述第一组第二部分和所述第二组第二部分之间，

所述多个第一部分的宽度或厚度各不相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分的宽度或厚度在第一方向上越来越小，所述第一方向与所述第一轴线平行且指向远离所述栅极焊点的一侧，

所述多个第二部分的宽度或厚度在所述第一方向上越来越小，

所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度在所述第一方向上越来越小。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多个第二部分中的每一个的远离所述栅极焊点的一端连接对应的一个第一部分，

所述多个第二部分中的每一个的宽度等于与该第二部分的远离所述栅极焊点的一端连接的第一部分和与该第二部分的远离所述栅极焊点的一端连接的第二部分的宽度之和。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分的宽度或厚度在第一方向上越来越大，所述第一方向与所述第一轴线平行且指向远离所述栅极焊点的一侧，

所述多个第二部分的宽度或厚度在所述第一方向上越来越大，

所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度在所述第一方向上越来越大。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分的宽度或厚度在第一方向上先变大后变小，所述第一方向与所述第一轴线平行且指向远离所述栅极焊点的一侧，

所述多个第二部分的宽度或厚度在所述第一方向上先变大后变小，

所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度在所述第一方向上先变大后变小。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分的宽度或厚度在第一方向上先变小后变大，所述第一方向与所述第一轴线平行且指向远离所述栅极焊点的一侧，

所述多个第二部分的宽度或厚度在所述第一方向上先变小后变大，

所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度在所述第一方向上先变小后变大。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分中的至少一个第一部分中设置有开口。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个第一部分中的每个第一部分中设置有开口。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述栅极焊点位于所述半导体器件的角落，所述开口位于与所述栅极焊点相对的角落。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极焊点沿所述第一轴线布置在所述多个第一部分中的一个第一部分上，所述栅极总线还包括沿所述第一轴线布置的多个第二部分，所述多个第二部分将所述多个第一部分中除所述一个第一部分以外的第一部分连接至所述栅极焊点，

所述多个第一部分的宽度或厚度各不相同。